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Fuji Electric 2MBI300VB-060-50 설명, 사양 및 응용 프로그램
2025-03-31 209

Fuji Electric의 2MBI300VB-060-50은 공장 및 산업을위한 강력하고 신뢰할 수있는 IGBT 모듈입니다.그것은 고전력을 처리하고 빠르게 작동하며 시원하게 유지되므로 모터, 인버터 및 UPS 시스템과 같은 기계에 적합합니다.이 모듈은 중장비 장비를 위해 안정적이고 오래 지속되는 부품이 필요한 사람들에게 널리 사용됩니다.

목록

1. 2MBI300VB-060-50 설명

2. 2MBI300VB-060-50 기능

3. 2MBI300VB-060-50 회로도

4. 2MBI300VB-060-50 최대 등급

5. 2MBI300VB-060-50 전기 특성

6. 2MBI300VB-060-50 열 저항 특성

7. 2MBI300VB-060-50 성능 곡선

8. 2MBI300VB-060-50 대안

9. 2MBI300VB-060-50과 SKM300GB063D의 비교

10. 2MBI300VB-060-50 장점 및 단점

11. 2MBI300VB-060-50 응용 프로그램

12. 2MBI300VB-060-50 포장 치수

13. 2MBI300VB-060-50 제조업체

14. 결론

2MBI300VB-060-50 설명

그만큼 2MBI300VB-060-50 Fuji Electric의 고성능 듀얼 IGBT 모듈은 특히 산업 응용 분야를 요구하도록 설계되었습니다.현재 등급 300A 및 600V 전압 용량으로 작동하여 광범위한 전력 전자 회로에 적합합니다.내장 프리 휠링 다이오드로 설계된이 모듈은 스위칭 중에 효율적인 에너지 회복과 전력 손실을 줄입니다.낮은 포화 전압 및 높은 입력 임피던스는 향상된 스위칭 성능 및 열 발생에 기여하여 산업 시스템의 신뢰성 및 수명을 개선하는 데 필요합니다.

2MBI300VB-060-50은 AC 모터 컨트롤, 서보 드라이브, UPS (Unrustable Power Supplies) 및 일반 목적 산업 인버터에 널리 사용됩니다.강력한 디자인과 우수한 스위칭 기능은 선호하는 선택입니다.신뢰할 수 있고 비용 효율적인 IGBT 모듈을 찾는 경우 오늘 당사와 함께 대량 주문을하도록 초대합니다.

2MBI300VB-060-50 기능

• 고속 스위칭 - 2MBI300VB-060-50은 매우 빠르게 켜지거나 꺼질 수 있습니다.이를 통해 에너지를 절약하고 열을 줄이며 모터 및 인버터와 같은 기계가 더 매끄럽게 작동하도록합니다.

• 전압 드라이브 - 이 모듈은 전압 구동을 사용하므로 제어하기 쉽습니다.작동하려면 간단한 회로가 필요하며 많은 소음없이 안정적이고 안정적인 성능을 제공합니다.

• 낮은 인덕턴스 모듈 구조 - 이 모듈은 낮은 인덕턴스 설계로 구축되었습니다.이렇게하면 전환 할 때 원치 않는 스파이크와 소음을 줄여 시스템을 더 안전하고 안정적으로 만듭니다.

2MBI300VB-060-50 회로도

2MBI300VB-060-50 Circuit Diagram

회로 다이어그램은 듀얼 IGBT 모듈 인 2MBI300VB-060-50의 내부 구조를 보여줍니다.Half-Bridge 구성에 연결된 2 개의 IGBT 트랜지스터가 있습니다.상부 IGBT는 게이트 1 (G1) 및 이미 터 1 (E1)에 의해 제어되는 반면, 하단 IGBT는 게이트 2 (G2) 및 이미 터 2 (E2)에 의해 제어됩니다.터미널 C1, C2E1 및 E2는 주요 전력 단자입니다.C1은 양의 단자, E2로서 음성 단자로서 작용하고 C2E1은 두 IGBT 사이의 중간 점 연결이다.각 IGBT에는 전환시 전압 스파이크로부터 회로를 보호하는 내장 프리 휠링 다이오드가 있습니다.이 구조는 일반적으로 모터 드라이브, 인버터 및 기타 전력 제어 응용 프로그램에 일반적으로 사용됩니다. 스위칭과 고전압 및 전류를 쉽게 제어 할 수 있기 때문입니다.

2MBI300VB-060-50 최대 등급

항목		기호	정황		최대 등급	단위
수집기-이미 터 전압		다섯_CES	-		600	다섯
게이트 이미 터 전압		다섯_ges	-		± 20	다섯
수집기 전류		나_기음	마디 없는	티_기음= 80 ° C	300	-
		나_기음 맥박	1ms		600
		-나_기음	-		300
		-나_기음 맥박	1ms		600
수집가 전력 소산		피_기음	1 장치		1360	w
정션 온도		티_J.	-		175	° C
작동 정션 온도 (미만 전환 조건)		티_jop	-		150
케이스 온도		티_기음	-		125
저장 온도		티_stg	-		-40 ~ 125
분리 전압	터미널과 구리 기저 사이 (*1)	다섯_ISO	AC : 1 분.		2500	진공
나사 토크	장착 (*2)	-	-		3.5	n · m
	터미널 (*3)	-	-		3.5

참고 *1 : 테스트 중에 모든 터미널이 서로 연결되어야합니다.

참고 *2 : 권장 값 : 2.5-3.5 nm (M5 또는 M6)

참고 *3 : 권장 값 : 2.5-3.5 nm (M5)

2MBI300VB-060-50 전기 특성

항목	기호	정황		최소	타이핑.	맥스.	단위
제로 게이트 전압 수집기 전류	나_CES	다섯_GE = 0V, v_CE= 600V		-	-	2.0	엄마
게이트 이미 터 누설 전류	나_ges	다섯_CE = 0V, v_GE = ± 20V		-	-	400	NA
게이트 이미 터 임계 값 전압	다섯_{ge (th)}	다섯_CE = 20V, i_기음 = 300ma		6.2	6.7	7.2	다섯
수집기-이미 터 포화 전압	다섯_{CE (SAT)} (단말기)	다섯_GE = 15V, i_기음 = 300A	티_J.= 25 ° C	-	1.80	2.25	다섯
			티_J.= 125 ° C	-	2.10	-
			티_J.= 150 ° C	-	2.30	-
수집기-이미 터 포화 전압 (칩)			티_J.= 25 ° C	-	1.60	2.05
			티_J.= 125 ° C	-	1.90	-
			티_J.= 150 ° C	-	2.00	-
내부 게이트 저항	아르 자형_{g (int)}	-		-	3.0	-	ω
입력 커패시턴스	기음_IES	VCE = 10V, v_GE = 0V, F = 1MHz		-	20	-	nf
턴온 시간	티_~에	다섯_CC= 300V l_에스= 30NH 나_기음= 300A 다섯_GE= ± 15V 아르 자형_G= 4.7Ω 티_J.= 150 ° C		-	650	-	NSEC
	티_{아르 자형}			-	300	-
	티_{r (i)}			-	100	-
턴 오프 시간	티_끄다			-	600	-
턴 오프 시간	티_에프			-	70	-
전압에서 전진	다섯_에프 (단말기)	다섯_GE= 0V, i_에프= 300A	티_J.= 25 ° C	-	1.70	2.15	다섯
			티_J.= 125 ° C	-	1.60	-
			티_J.= 150 ° C	-	1.57	-
	다섯_에프(칩)		티_J.= 25 ° C	-	1.60	2.05
			티_J.= 125 ° C	-	1.50	-
			티_J.= 150 ° C	-	1.47	-
역 복구 시간	티_RR	나_에프= 300A		-	200	-	NSEC

2MBI300VB-060-50 열 저항 특성

항목	기호	정황	형질			단위
			최소	타이핑.	맥스.
열 저항 (1DEVICE)	아르 자형_{Th (J-C)}	IGBT	-	-	0.110	° C/W
		FWD	-	-	0.180
연락 열 저항 (1device) (*4)	아르 자형_{Th (C-F)}	열 화합물로	-	0.025	-

*참고 4 : 이것은 열 화합물과 함께 추가 냉각 핀에 장착 된 값입니다.

2MBI300VB-060-50 성능 곡선

2MBI300VB-060-50 Performance Curves

2MBI300VB-060-50 IGBT 모듈의 성능 곡선은 수집기의 전류를 보여줍니다. (나_기음)) 수집기-이미 터 전압에 따라 다릅니다 (다섯_CE)) 다른 게이트-이미 터 전압에서 (다섯_GE)) 접합 온도 (티_J.)).에서 왼쪽 그래프, 이것은 대표합니다 TJ = 25 ° C, 우리는 VGE가 8V에서 20V로 증가함에 따라 수집기 전류가 동일하게 상승 함을 관찰합니다. 다섯_CE.게이트 전압이 높을수록 IGBT의 전도 기능이 향상되어 더 높은 전류를 전달할 수 있습니다.그러나 곡선이 포화됨에 따라 수집기 전류는 증가에 덜 민감 해집니다. 다섯_CE, IGBT의 활성 및 포화 영역을 나타냅니다.

에서 오른쪽 그래프, 어디 TJ = 150 ° C, 수집기 전류는 25 ° C 케이스에 비해 낮습니다. 다섯_GE.이는 내부 저항 증가 및 캐리어 이동성 감소로 인해 더 높은 온도가 IGBT의 현재 취급 기능을 감소 시킨다는 것을 나타냅니다.그럼에도 불구하고 곡선은 동일한 경향을 유지합니다 다섯_GE 여전히 더 높아집니다 나_기음그러나 피크 전류가 감소했습니다.이 그래프는 실제 응용 분야에서 장치가 다른 열 및 전압 조건에서 어떻게 작동하는지 이해하려면 필요합니다.

2MBI300VB-060-50 Performance Curves

그만큼 왼쪽 그래프 수집기가 어떻게 전달되는지 보여줍니다 (나_기음)) 수집기에 미터 전압으로 변경됩니다 (다섯_CE)) 다른 접합 온도에서 15V의 고정 게이트 이미 터 전압에서.온도가 25 ° C에서 150 ° C로 상승함에 따라 IGBT의 현재 기능이 감소합니다.이는 캐리어 산란이 증가하고 더 높은 온도에서의 캐리어 이동성 감소로 인해 IGBT 모듈의 일반적인 특성입니다.동일한 게이트 드라이브에서도 출력 전류는 더 높은 온도에서 낮아서 열 성능 및 하중 용량을 평가할 때 고려해야합니다.

그만큼 오른쪽 그래프 사이의 관계를 보여줍니다 다섯_CE 그리고 다섯_GE 상이한 수집기 전류 (150A, 300A 및 600A)의 경우 25 ℃에서.수집기 전류가 높을수록 게이트에 미터 전압이 높아져서 낮게 유지해야합니다. 다섯_CE 값.더 낮은 다섯_CE 더 높이 다섯_GE 전도 손실이 낮아집니다.이 곡선은 IGBT가 다른 하중 전류에서 작동 할 때 전도 손실을 최소화하기 위해 필요한 게이트 전압을 결정하는 데 필요합니다.

2MBI300VB-060-50 Performance Curves

그만큼 왼쪽 그래프 게이트 커패시턴스 사이의 관계를 보여줍니다 (기음_IES, c_OES및 c_해안)) 및 수집기-이미 터 전압 (다섯_CE)) 25 ° C에서.처럼 다섯_CE 증가하면 모든 커패시턴스가 특히 감소합니다 기음_OES 그리고 기음_해안스위칭 속도를 결정하는 데 있습니다.더 높은 전압에서 정전 용량을 낮추면 IGBT가 더 빠른 스위칭을 달성하는 데 도움이됩니다. 기음_IES, 상대적으로 평평하면 주로 게이트 드라이브 요구 사항에 영향을 미치지 만 손실을 전환하지는 않습니다.이 곡선은 턴온 및 턴 오프 전환 중에 IGBT의 동작을 추정하는 데 도움이됩니다.

그만큼 오른쪽 그래프 동적 게이트 전하 특성을 보여줍니다.게이트 이미 터 전압이 어떻게 표시되는지 보여줍니다 (다섯_GE)) 및 수집기-이미 터 전압 (다섯_CE)) 누적 된 게이트 전하에 따라 다릅니다 (큐_g)).평평한 지역 다섯_GE COE의 충전으로 인해 대부분의 스위칭 손실이 발생하는 Miller 고원을 나타냅니다.고원이 높으면 장치를 전환하려면 더 많은 충전이 필요하다는 것을 의미합니다.

2MBI300VB-060-50 대안

대안	명세서	메모
2MBI300U4H-120	300A, 1200V	더 높은 전압 등급, 동일한 전류, 고전압 설계와 호환됩니다
SKM300GB063D	300A, 600V	유사한 전압으로 직접 교체 그리고 현재 등급
MG300Q2YS50	300A, 600V	유사한 신뢰할 수있는 옵션 사양 및 견고한 디자인
CM300DY-24H	300A, 1200V	더 높은 전압 처리 산업 및 모터 제어 응용 프로그램
FF300R06KE3	300A, 600V	인기있는 선택, 동등한 전류 및 빠른 스위칭으로 전압 등급

2MBI300VB-060-50과 SKM300GB063D의 비교

특징	2MBI300VB-060-50	SKM300GB063D
구성	이중 IGBT 모듈	이중 IGBT 모듈
수집기-이미 터 전압 (VCES)	600V	600V
수집기 전류 (나_기음))	300A	300A
수집기-이미 터 포화 전압 (다섯_{CE (SAT)}))	낮음 (타이핑 ~ 2.2V)	낮은 (유형 ~ 2.15V)
프리 휠링 다이오드	내장	내장
스위칭 속도	손실이 낮은 빠른 전환	빠른 전환 및 낮은 전도에 최적화되었습니다 손실
열 저항	우수한 열 소산	후지와 유사한 열 소산
분리 전압	~ 2500V	~ 2500V
패키지 스타일	VB 시리즈 패키지	Semitrans 3 패키지
게이트 요금	보통 (산업용 최적화 드라이브)	약간 낮아도 고속에 이익이됩니다 전환
응용 프로그램 적합성	UPS, 인버터, 서보 드라이브, 모터 제어	UPS, 인버터, 모터 제어, 용접 기계
신뢰할 수 있음	높은 (중장비의 입증 된 후지 품질 응용 프로그램)	High (Semikron은 견고한 것으로 알려져 있습니다 신뢰할 수있는 모듈)

2MBI300VB-060-50 장점 및 단점

2MBI300VB-060-50의 장점

• 고전류 처리 - 최대 300A를 제공하며, 중장비 기계 및 산업 장비에 적합합니다.

• 빠른 스위칭 - 전력 손실을 낮추고 전반적인 시스템 성능을 향상시킵니다.

• 저전력 손실 - 포화 전압이 낮 으면 작동 중에 열 및 에너지 손실이 줄어 듭니다.

• 내장 프리 휠링 다이오드- 전압 스파이크로부터 회로를 보호하여 부드럽고 안전한 성능을 보장합니다.

• 좋은 열 관리 - 낮은 열 저항 덕분에 탁월한 열 소산으로 모듈을 시원하고 신뢰할 수 있습니다.

• 힘든 일자리에 신뢰할 수 있습니다. 모터 드라이브 및 UPS 시스템과 같은 가혹한 환경에서도 잘 작동합니다.

• 사용하기 쉽습니다 - 표준 VB 패키지는 대부분의 산업 시스템에 쉽게 적합합니다.

2MBI300VB-060-50의 단점

• 전압 한계 - 최대 600V는 1200V 이상이 필요한 시스템에 충분하지 않을 수 있습니다.

• 적당한 게이트 충전 - 빠른 스위칭 애플리케이션을위한 강력한 게이트 드라이버가 필요합니다.

• 큰 크기 - 더 큰 모듈, 소형 또는 공간 제한 설계에는 이상적이지 않습니다.

• 더 높은 비용 - 일반적으로 일부 다른 브랜드보다 가격이 약간 높습니다.

2MBI300VB-060-50 응용 프로그램

• 모터 드라이브를위한 인버터 - 이 모듈은 모터의 속도와 전력을 제어하는 데 도움이됩니다.모터가 더 매끄럽게 작동하고 에너지를 절약하게합니다.

• AC 및 DC 서보 드라이브 앰프 - 서보 드라이브에서 기계를 정확하게 이동시키는 데 사용됩니다.이것은 정확한 제어가 필요한 로봇과 기계에 도움이됩니다.

• 무정전 전원 공급 장치 (UPS) - 이 모듈은 UPS 시스템이 전기가 나올 때 계속 전력을 공급하는 데 도움이됩니다.장치가 갑자기 종료되지 않도록 보호합니다.

• 용접 기계와 같은 산업용 기계 - 용접기와 같은 기계에 사용됩니다.강력한 전력을 처리하고 기계가 안전하고 안정적으로 작동하도록합니다.

2MBI300VB-060-50 포장 치수

2MBI300VB-060-50 Packaging Dimensions

2MBI300VB-060-50 모듈의 포장 개요는 물리적 크기 및 터미널 배열을 보여줍니다.이 모듈의 길이는 약 92mm, 너비는 45mm이며, 고전력 응용 분야에 적합합니다.터미널 레이아웃에는 쉽고 안전한 배선을 위해 명확하게 간격을 두는 C1, E2 및 C2E1이라는 3 개의 주요 전력 터미널이 포함되어 있습니다.

제어 단자 (G1, E1, G2, E2)는 게이트 드라이버 회로에 간단한 연결을 위해 Tab 유형 커넥터를 사용하여 측면에 배치됩니다.장착 구멍 및 M5 나사 위치는 방열판 또는 장치 프레임에 안전하게 맞도록 설계되었습니다.이 모듈의 높이가 약 30mm는 저 프로파일 시스템을 구축하는 데 도움이됩니다.전반적 으로이 설계는 쉽게 설치, 강력한 기계적 안정성 및 우수한 전기 연결을 보장합니다.

2MBI300VB-060-50 제조업체

2MBI300VB-060-50은 유명한 일본 회사 인 Fuji Electric에서 제조합니다.Fuji Electric은 전력 전자 및 산업 장비의 글로벌 리더입니다.그들은 많은 산업에서 사용되는 고품질 IGBT 모듈, 전력 반도체, 인버터 및 제어 시스템을 만드는 것을 전문으로합니다.