FF200R06KE3 데이터 시트, 기능 및 산업 응용 프로그램
2025-04-03 199

Infineon Technologies의 FF200R06KE3는 효율적으로 고전력 요구를 관리하는 데 사용되는 강력한 구성 요소입니다.이 모듈은 작은 크기로 포장되지만 고급 IGBT 기술과 더 나은 효율성을 위해 특수 기능을 통해 고성능을 제공합니다.이 기사는 다양한 응용 프로그램에서의 역할을 강조하는 모듈의 주요 기능, 설계 및 이점을 설명합니다.

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FF200R06KE3 개요

그만큼 FF200R06KE3Infineon Technologies가 제작 한 것은 600 V, 200 A 사양으로 눈에 띄는 이중 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 (IGBT) 모듈입니다.컴팩트 한 62mm 패키지로 둘러싸인이 제품은 TrenchStop ™ IGBT3 기술과 이미 터 제어 3 다이오드를 결합합니다.이 통합은 효율성과 성능을 모두 향상시켜 강력한 전력 관리가 필요한 응용 프로그램에 최고의 선택입니다.

대량 주문을 원하는 사람들을 위해 FF200R06KE3는 귀하의 요구를 충족시키기 위해 신뢰할 수 있고 고성능 솔루션을 제공합니다.

FF200R06KE3 기능

• 전압 및 현재 등급 : 최대 600V 및 200 A를 처리 할 수 ​​있으므로 고전력 응용 분야에 적합합니다.

• 고급 기술 : TrenchStop ™ IGBT3 및 이미 터 제어 3 다이오드 기술을 사용하여 연질 향상 및 스위칭 손실 감소를 포함하여 최적화 된 스위칭 특성을 위해 최적화 된 스위칭 특성을 위해 사용합니다.

• 높은 작동 온도 : 최대 150 ° C의 온도에서 작동하여 까다로운 조건에서 신뢰성을 보장하도록 설계되었습니다.

• 장착 스타일 : 안전하고 간단한 설치를위한 나사 마운트 설계가 특징입니다.

• UL/CSA 인증 : UL1557 E83336에 따라 인증을 받았으며 엄격한 안전 및 성능 표준을 충족합니다.

• ROHS 준수 : 환경 친화적 인 설계를 반영하여 유해 물질 지침의 제한을 준수합니다.

FF200R06KE3 사양

최대 등급 값

특징적인 값

FF200R06KE3 회로도

회로 다이어그램은 FF200R06KE3 IGBT 모듈의 내부 구조를 보여줍니다.하프 브리지 구성에 연결된 2 개의 IGBT 트랜지스터가 특징인데, 이는 인버터 및 모터 드라이브와 같은 응용 프로그램을 스위칭하는 데 일반적입니다.터미널 1과 3은 각 IGBT의 수집가이고 터미널 2와 4는 이미 터입니다.각각의 IGBT는 정당 변형 다이오드와 쌍을 이루어 전류가 전환 동안 반대 방향으로 흐르도록 허용한다.터미널 5 및 6은 IGBT의 게이트 컨트롤을 나타내고 터미널 7은 공유 이미 터 연결입니다.이 레이아웃은 내장 다이오드를 통한 효율적인 스위칭과 안정적인 역 복구를 지원합니다.전력 손실 감소로 높은 전류와 전압을 처리하도록 설계되었습니다.FF200R06KE3은 안정적인 고성능 스위칭이 필요한 시스템을위한 실용적인 솔루션입니다.

FF200R06KE3 대안

• AMFF200R06KE3

• FF200R12KE3

• FF300R06KE3

• FF200R06KE3HOSA1

• FF200R06KE3-B2

FF200R06KE3 응용 프로그램

주파수 제어 인버터 드라이브

스위칭 손실 감소 및 연질 향상과 같은 모듈의 최적화 된 스위칭 특성은 인버터 시스템의 성능과 효율성을 향상시킵니다.​

산업용 모터 드라이브

높은 전류 및 전압을 처리 할 수있는 FF200R06KE3은 대형 산업용 모터를 제어하는 ​​데 적합하여 신뢰할 수 있고 정확한 모터 작동을 제공합니다.

전원 공급 장치

이 모듈의 고전력 처리 기능은 효율적인 에너지 변환 및 관리가 필요한 전원 공급 장치에 사용하기에 이상적입니다.

재생 가능한 에너지 시스템

태양 및 풍력 에너지 전환과 같은 응용 분야에서 FF200R06KE3을 사용하여 재생 가능한 공급원으로부터 에너지의 효율적인 전달 및 전환을 관리 할 수 ​​있습니다.

FF200R06KE3 패키지 개요

FF200R06KE3의 포장 다이어그램은 모듈의 상세한 기계적 레이아웃을 보여줍니다.길이는 106.4mm, 너비는 62mm 인 표준 62mm 하우징을 사용합니다.이 모듈에는 전원 연결 용 3 개의 메인 터미널이 있으며, 각각은 28mm 떨어져 고르게 간격을두고 양쪽 끝에 장착 된 구멍이 안전한 설치를 위해 있습니다.하우징의 높이는 터미널 핀을 포함하여 약 30mm입니다.게이트 및 이미 터 신호 제어를위한 측면에 7 핀 제어 커넥터 (DIN46244-A2.8-0.5-bz)가 포함됩니다.도면은 또한 ISO2768 표준에 따라 장착 깊이 (최소 7mm, 최대 10mm) 및 공차를 지정합니다.이 표준화 된 개요를 사용하면 정확한 장착 및 배선으로 모듈을 디자인에 쉽게 통합 할 수 있습니다.

FF200R06KE3 혜택

고효율 : 고급 IGBT 기술을 활용 하여이 모듈은 낮은 현장 전압 강하를 달성하여 전도 손실이 감소하고 전반적인 효율이 향상되었습니다.

강력한 열 성능 : 우수한 열 안정성을 위해 설계된 FF200R06KE3는 고온 조건에서 효과적으로 작동하여 일관된 성능과 수명을 보장 할 수 있습니다.

사용 편의성 : 이 모듈에는 스크류 마운트 설계가있어 다양한 시스템에서 간단하고 안전한 설치를 용이하게합니다.​

소형 디자인 : 길이가 106.4mm 인 FF200R06KE3은 소형 폼 팩터를 제공하여 장비 및 시스템 내에서 공간을 효율적으로 사용할 수 있습니다.​

제조업체

독일 네우비버에 본사를 둔 Infineon Technologies AG는 세계적인 반도체 제조업체입니다.1999 년 Siemens AG의 분사로 설립 된 Infineon은 세계 10 대의 반도체 회사 중 하나가되었습니다.이 회사는 약 58,000 명을 고용하고 있으며 2024 년에 약 150 억 유로의 매출을보고했습니다.

FF200R06KE3 대 FF200R12KE3 비교

매개 변수	FF200R06KE3	FF200R12KE3
수집기-이미 터 전압 (vCES))	600 v	1200 v
연속 수집기 전류 (i기음))	200a	200a
패키지 유형	62 mm	62 mm
IGBT 기술	TrenchStop ™ IGBT3	TrenchStop ™ IGBT3
다이오드 기술	이미 터 제어 3 다이오드	이미 터 제어 고효율 다이오드
작동 접합 온도 (tVJ OP))	최대 150 ° C	최대 125 ° C
수집기-이미 터 포화 전압 (vcesat))	1.9 V at vGE = 15 V, IC = 200 a	2.0 v at vGE = 15 V, IC = 200 a
입력 커패시턴스 (CIE)	13.0 nf	14.0 nf
역전 커패시턴스 (CRES)	0.5 nf	0.5 nf
게이트 요금 (QG)	1.9 µC	1.9 µC
내부 게이트 저항 (RGINT)	3.8 Ω	3.8 Ω
턴온 지연 시간 (t두목)))	0.25 µs	0.25 µs
상승 시간 (TR)	0.09 µs	0.09 µs
턴 오프 지연 시간 (t버리다)))	0.55 µs	0.55 µs
가을 시간 (TF)	0.13 µs	0.13 µs
총 전력 소산 (p더하다))	680 W.	1050 w
분리 시험 전압 (v격리))	2500 v	2500 v
무게	340 g	340 g
장착 스타일	나사 마운트	나사 마운트
인증	UL1557 E83336	UL1557 E83336
ROHS 준수	예	예

결론

요약하면, Infineon Technologies의 FF200R06KE3 모듈은 전력 관리의 혁신을 보여줍니다.높은 효율성과 강력한 성능으로 광범위한 까다로운 애플리케이션을 지원하도록 설계되었습니다.이 기사는 FF200R06KE3이 고급 전력 솔루션이 필요한 사람에게 신뢰할 수있는 선택 인 이유를 보여줍니다.

데이터 시트 PDF

FF200R06KE3 데이터 시트 :

ff200r06ke3.pdf
FF200R06KE3 세부 사항 PDF
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