| 2MBI50N-120H | |
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| 제품 모델 | 2MBI50N-120H |
| 제조사 | FUJI |
| 기술 | IGBT Modules |
| 가능 수량 | 3106 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
| ECAD 모델 | |
| 데이터 시트 | 2MBI50N-120H.pdf |
| 다운로드 | 2MBI50N-120H 세부 정보 PDF |
| 2MBI50N-120H Price |
온라인으로 가격 및 리드 타임 요청 or Email us: Info@ariat-tech.com |
| 2MBI50N-120H의 기술 정보 | |||
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| 제조업체 부품 번호 | 2MBI50N-120H | 범주 | 이산 반도체 제품 |
| 제조사 | FUJI | 기술 | IGBT Modules |
| 패키지 / 케이스 | 가능 수량 | 3106 pcs | |
| 조건 | New Original Stock | 보증 | 100% Perfect Functions |
| 리드 타임 | 2-3days after payment. | 지불 | PayPal / Telegraphic Transfer / Western Union |
| 출하 기준 | DHL / Fedex / UPS | 포트 | HongKong |
| RFQ 이메일 | 2MBI50N-120H 세부 정보 PDF [English] | 2MBI50N-120H PDF - EN.pdf | |
| 다운로드 | 2MBI50N-120H 세부 정보 PDF | ||
제품 모델
2MBI50N-120H
소개
디스크리트 반도체 모듈. 절연 게이트 양극 트랜지스터(IGBT).
브랜드 및 제조사
후지 전기 주식회사. 후지 전기.
특징 및 기능
듀얼 IGBT 모듈. 내장형 프리휠링 다이오드. 고출력 스위칭 능력. 낮은 스위칭 손실. 높은 온도 저항. 높은 효율.
제품 성능
전류: 50A. 전압: 1200V. 최대 작동 온도: 150°C. 최소 저장 온도: -40°C. 빠른 스위칭 속도.
기술 사양
IGBT 타입: NPT(Non-Punch Through). 콜렉터 전류: 50A. 콜렉터-이미터 전압: 1200V. 차단 시간: ~200ns. 게이트 문턱 전압: 4.5V - 6.5V.
크기, 형태 및 포장
직사각형 패키지. 크기: 약 94mm x 33mm x 16mm. 무게: ~150g. 장착 홀을 가진 모듈 형식. 보호를 위한 견고한 포장.
품질 및 신뢰성
고품질 기준에 따라 제조. 철저한 테스트 진행. 산업 응용에서 검증된 신뢰성.
제품 장점
공간 절약을 위한 컴팩트한 디자인. 스위칭 손실 감소. 고출력 응용에 적합. 효율성을 위한 통합 프리휠링 다이오드.
제품 경쟁력
비용 효율적인 솔루션. 높은 내구성과 성능. 산업에서 잘 알려진 브랜드. 다양한 응용에서 널리 사용.
호환성
다양한 산업 컨트롤러와 호환. 표준 IGBT 모듈 구성에 적합. 일반적인 라디에이터 및 냉각 시스템과 작동.
표준 인증 및 준수
RoHS 준수. CE 인증. 산업 안전 표준 충족.
수명 및 지속 가능성
긴 작동 수명. 산업 환경에서의 장기간 사용을 위해 설계. 환경 영향을 줄이기 위한 효율적 에너지 사용.
실제 적용 분야
산업 모터 구동. UPS(무정전 전원장치) 시스템. 재생 에너지 인버터. HVAC 시스템. 자동화 및 로봇 응용. 철도 견인 시스템.
이메일 : Info@Ariat-Tech.com 또는 RFQ 2MBI50N-120H 온라인.
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