6MBP15RZ060 | |
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제품 모델 | 6MBP15RZ060 |
제조사 | FUJI |
기술 | IGBT Modules |
가능 수량 | 2957 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
ECAD 모델 | |
데이터 시트 | 6MBP15RZ060.pdf |
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6MBP15RZ060 Price |
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6MBP15RZ060의 기술 정보 | |||
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제조업체 부품 번호 | 6MBP15RZ060 | 범주 | 이산 반도체 제품 |
제조사 | FUJI | 기술 | IGBT Modules |
패키지 / 케이스 | 가능 수량 | 2957 pcs | |
조건 | New Original Stock | 보증 | 100% Perfect Functions |
리드 타임 | 2-3days after payment. | 지불 | PayPal / Telegraphic Transfer / Western Union |
출하 기준 | DHL / Fedex / UPS | 포트 | HongKong |
RFQ 이메일 | 6MBP15RZ060 세부 정보 PDF [English] | 6MBP15RZ060 PDF - EN.pdf | |
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6MBP15RZ060
6MBP15RZ060은 이산 반도체 범주에 속하며, 트랜지스터 - IGBT - 모듈의 소형 분류에 해당하는 제품입니다.
이 제품의 브랜드 및 제조사는 FUJI입니다.
6MBP15RZ060은 에너지 효율적인 전력 전자 변환 기능을 갖춘 트랜지스터 - IGBT(절연 게이트 양극 트랜지스터) 모듈입니다.
6MBP15RZ060 IGBT 모듈은 낮은 스위칭 손실로 높은 전압과 높은 전류 능력을 제공하여 다양한 무선 애플리케이션에 적합합니다.
6MBP15RZ060은 전력 스위칭 애플리케이션을 위한 첨단 반도체 기술을 포함하고 있으며, 특정 기술 사양은 제조사의 설계에 따라 다릅니다.
6MBP15RZ060의 치수, 형태 및 포장은 처리, 설치 및 사용 중 안전성을 보장하기 위해 설계되었습니다. 일반적으로 강력하고 컴팩트한 포장을 포함합니다.
FUJI는 6MBP15RZ060 IGBT 모듈의 높은 품질과 신뢰성을 보장하며, 일관된 성능과 내구성을 유지하기 위해 엄격한 테스트를 거칩니다.
6MBP15RZ060의 주요 장점은 MOSFET의 높은 입력 임피던스와 양극트랜지스터의 낮은 온 상태 전도 손실의 조합입니다.
FUJI의 6MBP15RZ060은 높은 효율성과 내구성 덕분에 이산 반도체 범주에서 시장 경쟁자들 가운데 돋보이는 선택이 됩니다.
6MBP15RZ060 IGBT 모듈은 고전압 및 고전류 조건에서 작동하는 다양한 전자 회로 및 시스템과 호환됩니다.
6MBP15RZ060은 표준 반도체 산업 인증을 준수하여 안전성, 신뢰성 및 효율성을 보장합니다.
6MBP15RZ060의 수명과 지속 가능성은 지정된 매개변수 내에서의 작동에 의해 결정됩니다. 적절한 사용은 수명을 상당히 연장할 수 있습니다.
6MBP15RZ060은 재생 에너지 시스템, 모터 구동 장치 및 전원 공급 장치와 같이 효율적인 전력 변환이 필요한 분야에서 사용되며, 고속 스위칭 장치에서도 널리 응용됩니다.
6MBP15RZ060 증권 | 6MBP15RZ060 가격 | 6MBP15RZ060 전자 | |||
6MBP15RZ060 구성 요소 | 인벤토리 | 6MBP15RZ060 Digikey | |||
공급 업체 6MBP15RZ060 | 6MBP15RZ060 온라인 주문 | 문의 6MBP15RZ060 | |||
6MBP15RZ060 이미지 | 6MBP15RZ060 그림 | 6MBP15RZ060 PDF | |||
6MBP15RZ060 데이터 시트 | 6MBP15RZ060 데이터 시트 다운로드 | 제조업체 |
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영상 | 제품 모델 | 기술 | 제조사 | 견적 | |
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