FDA28N50F
제품 모델 FDA28N50F
제조사 onsemi
기술 MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN
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FDA28N50F의 기술 정보
제조업체 부품 번호 FDA28N50F 범주  
제조사 onsemi 기술 MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN
패키지 / 케이스 TO-3PN 가능 수량 9350 pcs
아이디 @ VGS (일) (최대) 5V @ 250µA Vgs (최대) ±30V
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide) 제조업체 장치 패키지 TO-3PN
연속 UniFET™ 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 175mOhm @ 14A, 10V
전력 소비 (최대) 310W (Tc) 패키지 / 케이스 TO-3P-3, SC-65-3
패키지 Tube 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5387 pF @ 25 V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 105 nC @ 10 V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 500 V 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 28A (Tc)
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제품 모델

FDA28N50F

소개

고효율 전력 관리 응용을 위한 N-채널 500V 28A MOSFET입니다.

브랜드 및 제조사

AMI 반도체 / ON 반도체

특징 및 기능

최대 500V의 고전압 기능

25°C에서 연속 드레인 전류 28A 지원

175 mOhm의 낮은 Rds(on)으로 효율 극대화

310W의 고전력 소산 가능

쉬운 설치를 위한 관통 홀 장착 방식

제품 성능

-55°C에서 150°C의 온도 범위 내에서 효과적으로 작동

10V에서 105nC의 게이트 챠지 지원

25V에서 5387pF의 입력 정전용량 보유

최적의 Rds On을 위한 10V의 구동 전압

기술 사양

FET 종류: N-채널

드레인-소스 전압 (Vdss): 500V

연속 드레인 전류 (Id) @ 25°C: 28A

Rds On (최대) @ Id, Vgs: 175 mOhm

Vgs(th) (최대) @ Id: 5V

게이트 챠지 (Qg) (최대) @ Vgs: 105nC

입력 정전용량 (Ciss) (최대) @ Vds: 5387pF

구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V

크기, 형태 및 포장

패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

공급업체 장치 패키지: TO-3PN

포장: 튜브

품질 및 신뢰성

무연 및 RoHS 준수

습기 민감도 수준 (MSL): 1 (제한 없음)

제품 장점

엄격한 응용을 위한 높은 전압 및 전류 기능

낮은 온 저항으로 에너지 손실 감소

제품 경쟁력

경쟁력 있는 리드 타임 6주

신뢰성과 성능으로 잘 알려진 UniFET 시리즈의 일부

호환성

표준 관통 홀 장착 방식과 호환 가능

표준 인증 및 준수

무연 상태 / RoHS 상태: 무연 / RoHS 준수

수명 및 지속 가능성

넓은 작동 온도 범위로 산업 응용에 적합한 내구성 있는 구조

실제 적용 분야

전원 공급 장치

모터 제어

인버터 회로

스위치 모드 전원 공급 장치

FDA28N50F은 신품이며 재고 있음, Ariat-Tech 전자 부품 재고, 데이터 시트, 재고 및 가격은 Ariat-Tech .com Online에서 확인하십시오. FDA28N50F onsemi는 Ariat Technology Limitd에서 보증하고 확신을 가지고 주문하십시오. DHL / FedEx / UPS를 통해 배송하십시오. 송금 또는 PayPal로 지불하는 것은 괜찮습니다.
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