FDC6312P | |
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제품 모델 | FDC6312P |
제조사 | onsemi |
기술 | MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT-6 |
가능 수량 | 6400 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
ECAD 모델 | |
데이터 시트 | 1.FDC6312P.pdf2.FDC6312P.pdf3.FDC6312P.pdf4.FDC6312P.pdf5.FDC6312P.pdf6.FDC6312P.pdf7.FDC6312P.pdf8.FDC6312P.pdf |
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FDC6312P Price |
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FDC6312P의 기술 정보 | |||
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제조업체 부품 번호 | FDC6312P | 범주 | |
제조사 | onsemi | 기술 | MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT-6 |
패키지 / 케이스 | SuperSOT™-6 | 가능 수량 | 6400 pcs |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 1.5V @ 250µA | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지 | SuperSOT™-6 | 연속 | PowerTrench® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 115mOhm @ 2.3A, 4.5V | 전력 - 최대 | 700mW |
패키지 / 케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | 패키지 | Tape & Reel (TR) |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 467pF @ 10V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 7nC @ 4.5V |
FET 특징 | Logic Level Gate | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2.3A | 구성 | 2 P-Channel (Dual) |
기본 제품 번호 | FDC6312 | FDC6312P 세부 정보 PDF [English] | FDC6312P PDF - EN.pdf |
다운로드 | FDC6312P 세부 정보 PDF |
FDC6312P
모스펫 배열 2 P-채널 (듀얼) 로직 레벨 게이트
AMI 세미컨덕터 / ON 세미컨덕터
하나의 패키지에 2개의 P-채널 MOSFETs
로직 레벨 게이트
표면 실장
무연 / RoHS 준수
작동 온도 범위: -55°C ~ 150°C
25°C에서의 연속 드레인 전류: 2.3A
최대 드레인-소스 전압: 20V
3A, 4.5V에서의 Rds On: 115mΩ
250μA에서의 최대 게이트 스레숄드 전압: 1.5V
전력 - 최대 700mW
5V에서의 게이트 전하 (Qg) 최대 7nC
10V에서의 입력 정전 용량 (Ciss) 최대 467pF
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
포장 형태: 테이프 및 릴 (TR)
습기 민감도 수준 (MSL) 1 (무제한)
컴팩트 패키지에서의 높은 전력 처리 능력
효율적인 열 관리
열 스트레스 하에서 높은 효율성과 신뢰성을 요구하는 응용 분야에 경쟁력 있음
로직 레벨 응용 분야에 적합
무연 / RoHS 준수
지정된 조건에서 장기 사용을 위해 내구성이 뛰어난 설계
전력 관리 응용 분야
부하 스위치
배터리 관리 시스템
변환 회로
FDC6312P 증권 | FDC6312P 가격 | FDC6312P 전자 | |||
FDC6312P 구성 요소 | 인벤토리 | FDC6312P Digikey | |||
공급 업체 FDC6312P | FDC6312P 온라인 주문 | 문의 FDC6312P | |||
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