FDD6690A | |
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제품 모델 | FDD6690A |
제조사 | onsemi |
기술 | MOSFET N-CH 30V 12A/46A DPAK |
가능 수량 | 20457 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
ECAD 모델 | |
데이터 시트 | 1.FDD6690A.pdf2.FDD6690A.pdf3.FDD6690A.pdf4.FDD6690A.pdf5.FDD6690A.pdf6.FDD6690A.pdf7.FDD6690A.pdf |
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FDD6690A Price |
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FDD6690A의 기술 정보 | |||
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제조업체 부품 번호 | FDD6690A | 범주 | |
제조사 | onsemi | 기술 | MOSFET N-CH 30V 12A/46A DPAK |
패키지 / 케이스 | TO-252AA | 가능 수량 | 20457 pcs |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 3V @ 250µA | Vgs (최대) | ±20V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | TO-252AA |
연속 | PowerTrench® | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 12mOhm @ 12A, 10V |
전력 소비 (최대) | 3.3W (Ta), 56W (Tc) | 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
패키지 | Tape & Reel (TR) | 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1230 pF @ 15 V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 18 nC @ 5 V | FET 유형 | N-Channel |
FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30 V | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 12A (Ta), 46A (Tc) |
기본 제품 번호 | FDD6690 | FDD6690A 세부 정보 PDF [English] | FDD6690A PDF - EN.pdf |
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FDD6690A
N-Channel 30V 12A/46A 파워 MOSFET
ON Semiconductor
N-Channel MOSFET, PowerTrench 기술, 낮은 On-저항 (Rds On), 높은 파워 디싱페이션 능력
연속 드레인 전류: 12A (Ta), 46A (Tc), 드레인에서 소스 전압 (Vdss): 30V, 게이트 충전량 (Qg): 18nC @ 5V, 입력 용량 (Ciss): 1230pF @ 15V, Rds On: 12 mOhm @ 12A, 10V
표면 부착 기술, MOSFET (금속 산화물 반도체), 최대 게이트 전압 (Vgs): ±20V, 드라이브 전압: 4.5V to 10V, 작동 온도 범위: -55°C to 175°C
D-PAK (TO-252AA) 패키지, 테이프 & 리얼 (TR) 패키징
납 없음 / RoHS 준수, 습도 민감도 수준 (MSL) 1
빠른 스위칭에 최적화됨, 향상된 열 성능
높은 전류 처리 능력, 에너지 효율적인 설계
표면 부착 기술과 호환됨
RoHS 준수, 납 없음 상태
장기 운영 수명 설계, 열 스트레스에 대한 견고함
파워 관리, 소비자 전자 제품, 자동차 산업, 에너지 저장 시스템
FDD6690A 증권 | FDD6690A 가격 | FDD6690A 전자 | |||
FDD6690A 구성 요소 | 인벤토리 | FDD6690A Digikey | |||
공급 업체 FDD6690A | FDD6690A 온라인 주문 | 문의 FDD6690A | |||
FDD6690A 이미지 | FDD6690A 그림 | FDD6690A PDF | |||
FDD6690A 데이터 시트 | FDD6690A 데이터 시트 다운로드 | 제조업체 |
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영상 | 제품 모델 | 기술 | 제조사 | 견적 | |
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FDD6688S | MOSFET N-CH 30V 88A D-PAK | onsemi | ||
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FDD6692 MOS | FAIRCHILD TO-252 | FAIRCHILD | ||
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