FDD6690A
제품 모델 FDD6690A
제조사 onsemi
기술 MOSFET N-CH 30V 12A/46A DPAK
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FDD6690A의 기술 정보
제조업체 부품 번호 FDD6690A 범주  
제조사 onsemi 기술 MOSFET N-CH 30V 12A/46A DPAK
패키지 / 케이스 TO-252AA 가능 수량 20457 pcs
아이디 @ VGS (일) (최대) 3V @ 250µA Vgs (최대) ±20V
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide) 제조업체 장치 패키지 TO-252AA
연속 PowerTrench® 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 12mOhm @ 12A, 10V
전력 소비 (최대) 3.3W (Ta), 56W (Tc) 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
패키지 Tape & Reel (TR) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1230 pF @ 15 V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 18 nC @ 5 V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 30 V 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 12A (Ta), 46A (Tc)
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제품 모델

FDD6690A

소개

N-Channel 30V 12A/46A 파워 MOSFET

브랜드 및 제조사

ON Semiconductor

특징 및 기능

N-Channel MOSFET, PowerTrench 기술, 낮은 On-저항 (Rds On), 높은 파워 디싱페이션 능력

제품 성능

연속 드레인 전류: 12A (Ta), 46A (Tc), 드레인에서 소스 전압 (Vdss): 30V, 게이트 충전량 (Qg): 18nC @ 5V, 입력 용량 (Ciss): 1230pF @ 15V, Rds On: 12 mOhm @ 12A, 10V

기술 사양

표면 부착 기술, MOSFET (금속 산화물 반도체), 최대 게이트 전압 (Vgs): ±20V, 드라이브 전압: 4.5V to 10V, 작동 온도 범위: -55°C to 175°C

크기, 형태 및 포장

D-PAK (TO-252AA) 패키지, 테이프 & 리얼 (TR) 패키징

품질 및 신뢰성

납 없음 / RoHS 준수, 습도 민감도 수준 (MSL) 1

제품 장점

빠른 스위칭에 최적화됨, 향상된 열 성능

제품 경쟁력

높은 전류 처리 능력, 에너지 효율적인 설계

호환성

표면 부착 기술과 호환됨

표준 인증 및 준수

RoHS 준수, 납 없음 상태

수명 및 지속 가능성

장기 운영 수명 설계, 열 스트레스에 대한 견고함

실제 적용 분야

파워 관리, 소비자 전자 제품, 자동차 산업, 에너지 저장 시스템

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