FDG6332C | |
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제품 모델 | FDG6332C |
제조사 | onsemi |
기술 | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 |
가능 수량 | 11000 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
ECAD 모델 | |
데이터 시트 | 1.FDG6332C.pdf2.FDG6332C.pdf3.FDG6332C.pdf4.FDG6332C.pdf5.FDG6332C.pdf6.FDG6332C.pdf7.FDG6332C.pdf8.FDG6332C.pdf |
다운로드 | FDG6332C 세부 정보 PDF |
FDG6332C Price |
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FDG6332C의 기술 정보 | |||
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제조업체 부품 번호 | FDG6332C | 범주 | |
제조사 | onsemi | 기술 | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 |
패키지 / 케이스 | SC-88 (SC-70-6) | 가능 수량 | 11000 pcs |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 1.5V @ 250µA | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지 | SC-88 (SC-70-6) | 연속 | PowerTrench® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 300mOhm @ 700mA, 4.5V | 전력 - 최대 | 300mW |
패키지 / 케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 패키지 | Tape & Reel (TR) |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 113pF @ 10V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 1.5nC @ 4.5V |
FET 특징 | Logic Level Gate | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 700mA, 600mA | 구성 | N and P-Channel |
기본 제품 번호 | FDG6332 | FDG6332C 세부 정보 PDF [English] | FDG6332C PDF - EN.pdf |
다운로드 | FDG6332C 세부 정보 PDF |
FDG6332C
N 및 P 채널 모스펫 배열, 20V 700mA 및 600mA
AMI 반도체 / ON 반도체
N 및 P 채널, 로직 레벨 게이트, 표면 장착 기술, 납 무함유, RoHS 준수
드레인-소스 전압: 20V
연속 드레인 전류: 700mA (N-채널), 600mA (P-채널)
Rds On (최대): 700mA에서 300 mOhm, 4.5V
게이트 전하 (Qg) (최대): 4.5V에서 1.5nC
입력 정전 용량 (Ciss) (최대): 10V에서 113pF
최대 전력: 300mW
출력 전압: 파워 트렌치
Vgs(th) (최대) @ Id: 250µA에서 1.5V
6-TSSOP, SC-88, SOT-363 패키지
공급업체 장치 패키지: SC-70-6
포장: 테이프 및 릴 (TR)
습기 민감도 수준 (MSL): 1 (무제한)
파워 트렌치 기술을 통한 높은 효율성
낮은 온 저항
우수한 열 성능
동급에서 강력한 성능 지표와 경쟁력 있는 가격
로직 레벨 애플리케이션과 호환됨
납 무함유
RoHS 준수
다양한 환경에서 장기 사용을 위한 내구성 있는 설계
소비자 전자제품, 자동차 및 산업 시스템을 포함한 여러 분야의 전력 관리, 스위칭 및 증폭 애플리케이션에 사용됨
FDG6332C 증권 | FDG6332C 가격 | FDG6332C 전자 | |||
FDG6332C 구성 요소 | 인벤토리 | FDG6332C Digikey | |||
공급 업체 FDG6332C | FDG6332C 온라인 주문 | 문의 FDG6332C | |||
FDG6332C 이미지 | FDG6332C 그림 | FDG6332C PDF | |||
FDG6332C 데이터 시트 | FDG6332C 데이터 시트 다운로드 | 제조업체 |
FDG6332C 관련 부품 | |||||
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영상 | 제품 모델 | 기술 | 제조사 | 견적 | |
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FDG6324 | FAIRCHILD | |||
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FDG6332C-F085P | DUAL NP MOS SC70-6 20V | onsemi | ||
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