| FDN352AP | |
|---|---|
| 제품 모델 | FDN352AP |
| 제조사 | onsemi |
| 기술 | MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3 |
| 가능 수량 | 11200 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
| ECAD 모델 | |
| 데이터 시트 | 1.FDN352AP.pdf2.FDN352AP.pdf3.FDN352AP.pdf4.FDN352AP.pdf5.FDN352AP.pdf6.FDN352AP.pdf7.FDN352AP.pdf8.FDN352AP.pdf |
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| FDN352AP Price |
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| FDN352AP의 기술 정보 | |||
|---|---|---|---|
| 제조업체 부품 번호 | FDN352AP | 범주 | |
| 제조사 | onsemi | 기술 | MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3 |
| 패키지 / 케이스 | SOT-23-3 | 가능 수량 | 11200 pcs |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 250µA | Vgs (최대) | ±25V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | SOT-23-3 |
| 연속 | PowerTrench® | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 180mOhm @ 1.3A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 500mW (Ta) | 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 150 pF @ 15 V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 1.9 nC @ 4.5 V | FET 유형 | P-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30 V | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.3A (Ta) |
| 기본 제품 번호 | FDN352 | FDN352AP 세부 정보 PDF [English] | FDN352AP PDF - EN.pdf |
| 다운로드 | FDN352AP 세부 정보 PDF | ||
제품 모델
FDN352AP
소개
FDN352AP은 전력 스위칭 응용에 사용되는 P-Channel MOSFET입니다.
브랜드 및 제조사
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
특징 및 기능
저온 저항을 위한 PowerTrench 기술, 고사이드 스위칭을 위한 P-Channel, 압축형 표면 부착 SuperSOT-3 패키지
제품 성능
최대 500mW의 효율적인 전력 방출, 연속 드레인 전류 1.3A, 운영 온도 범위 -55°C에서 150°C까지 견고함
기술 사양
드레인-소스 전압 30V, 1.3A 및 10V에서 Rds On 180 mOhm, 게이트 전하 1.9nC, 입력 유전 상수 150pF
크기, 형태 및 포장
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 케이스, SuperSOT-3 공급 업체 패키지, 디지-리얼 패키징
품질 및 신뢰성
RoHS 및 납 없음 규격 준수, 수분 민감도 수준 1
제품 장점
빠른 스위칭 최적화, 절전 전압 2.5V
제품 경쟁력
배터리 관리 및 로드 스위치 응용을 위해 설계, 최소 전도 손실을 위해 설계
호환성
로직 레벨 드라이브 소스와 호환
표준 인증 및 준수
납 없음 및 RoHS 환경 기준 준수
수명 및 지속 가능성
장기 신뢰성 설계, 확장 생명 주기 응용에 적합
실제 적용 분야
핸드헬드 장치의 전력 관리, DC/DC 컨버터, 로드 스위칭, 배터리 작동 시스템
이메일 : Info@Ariat-Tech.com 또는 RFQ FDN352AP 온라인.
| FDN352AP 증권 | FDN352AP 가격 | FDN352AP 전자 | |||
| FDN352AP 구성 요소 | 인벤토리 | FDN352AP Digikey | |||
| 공급 업체 FDN352AP | FDN352AP 온라인 주문 | 문의 FDN352AP | |||
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| 영상 | 제품 모델 | 기술 | 제조사 | 견적 | |
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FDN355N | FDN355N FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
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FDN352 IC | SOT-23 | |||
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FDN355A-NL | FDN355A-NL FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
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FDN342P-NL | FDN342P-NL FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
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FDN342P | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI | Fairchild Semiconductor | ||
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FDN355N IC | FAIRCHILD SOT-23 | FAIRCHILD | ||
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FDN355A | ON SOT-23 | ON | ||
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FDN351N IC | FAI ON SOT-23 | FAI ON | ||
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FDN351N | FAI ON SOT-23 | FAI ON | ||
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FDN352AP-NL | FDN352AP-NL FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
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FDN352AP-NL MOS | VBSEMI SOT-23T | VBSEMI | ||
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FDN352P-NL | FDN352P-NL VB | VB | ||
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FDN352AP IC | FAIRCHILD SOT23-3 | FAIRCHILD | ||
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FDN342P MOS | FAIRCHILD SOT-23 | FAIRCHILD | ||
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FDN355N MOS | ON SOT-23 | ON | ||
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FDN352AP | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI | Fairchild Semiconductor | ||
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FDN352 | ||||
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FDN352AP MOS | FAIRCHILD SOT-23 | FAIRCHILD | ||
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FDN342P-NL IC | FAIRCHILD SOT-23 | FAIRCHILD | ||
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FDN342P | MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3 | onsemi | ||
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