| HUF75345P3 | |
|---|---|
| 제품 모델 | HUF75345P3 |
| 제조사 | onsemi |
| 기술 | MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3 |
| 가능 수량 | 2779 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
| ECAD 모델 | |
| 데이터 시트 | 1.HUF75345P3.pdf2.HUF75345P3.pdf3.HUF75345P3.pdf4.HUF75345P3.pdf5.HUF75345P3.pdf6.HUF75345P3.pdf7.HUF75345P3.pdf |
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| HUF75345P3 Price |
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| HUF75345P3의 기술 정보 | |||
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| 제조업체 부품 번호 | HUF75345P3 | 범주 | |
| 제조사 | onsemi | 기술 | MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3 |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 | 가능 수량 | 2779 pcs |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | Vgs (최대) | ±20V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | TO-220-3 |
| 연속 | UltraFET™ | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 7mOhm @ 75A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 325W (Tc) | 패키지 / 케이스 | TO-220-3 |
| 패키지 | Tube | 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4000 pF @ 25 V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 275 nC @ 20 V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 55 V | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 75A (Tc) |
| 기본 제품 번호 | HUF75345 | HUF75345P3 세부 정보 PDF [English] | HUF75345P3 PDF - EN.pdf |
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제품 모델
HUF75345P3
소개
고전력 응용을 위한 N-채널 55V 75A MOSFET
브랜드 및 제조사
AMI 반도체 / ON 반도체
특징 및 기능
N-채널 MOSFET, 스루 홀 장착, 납 없음 및 RoHS 준수
제품 성능
작동 온도: -55°C ~ 175°C, 최대 전력 소산: 325W, 25°C에서 연속 드레인 전류: 75A, 낮은 온 저항: 7mΩ
기술 사양
드레인-소스 전압(Vdss): 55V, 게이트-소스 기준 전압(Vgs th): 4V에서 250µA, 게이트 전하(Qg): 275nC에서 20V, 입력 정전 용량(Ciss): 4000pF에서 25V, 구동 전압: 10V
크기, 형태 및 포장
패키지/케이스: TO-220-3, 공급업체 장치 패키지: TO-220AB, 튜브 포장
품질 및 신뢰성
습기 민감도 수준(MSL): 1 (무제한)
제품 장점
낮은 온 저항을 가진 높은 효율성, 강력한 열 성능
제품 경쟁력
높은 전류 용량과 향상된 전력 처리 능력, 고전력 스위칭 응용에서 경쟁력
호환성
표준 MOSFET 구동 전압과 호환
표준 인증 및 준수
납 없음 상태 / RoHS 상태: 납 없음 / RoHS 준수
수명 및 지속 가능성
극한 조건에서도 장기 신뢰성을 디자인
실제 적용 분야
전원 공급 장치, 모터 제어, 인버터, 스위칭 레귤레이터
이메일 : Info@Ariat-Tech.com 또는 RFQ HUF75345P3 온라인.
| HUF75345P3 증권 | HUF75345P3 가격 | HUF75345P3 전자 | |||
| HUF75345P3 구성 요소 | 인벤토리 | HUF75345P3 Digikey | |||
| 공급 업체 HUF75345P3 | HUF75345P3 온라인 주문 | 문의 HUF75345P3 | |||
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| HUF75345P3 관련 부품 | |||||
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