MMDF3N02HDR2
제품 모델 MMDF3N02HDR2
제조사 onsemi
기술 MOSFET N-CH 20V 3.8A 8SOIC
가능 수량 2985 pcs new original in stock.
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MMDF3N02HDR2의 기술 정보
제조업체 부품 번호 MMDF3N02HDR2 범주  
제조사 onsemi 기술 MOSFET N-CH 20V 3.8A 8SOIC
패키지 / 케이스 8-SOIC 가능 수량 2985 pcs
아이디 @ VGS (일) (최대) 2V @ 250µA Vgs (최대) ±20V
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide) 제조업체 장치 패키지 8-SOIC
연속 - 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 90mOhm @ 3A, 10V
전력 소비 (최대) 2W (Ta) 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
패키지 Tape & Reel (TR) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 630 pF @ 16 V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 18 nC @ 10 V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 20 V 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.8A (Ta)
기본 제품 번호 MMDF3  
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제품 모델

MMDF3N02HDR2

소개

파워 스위칭 응용 분야를 위한 P-채널 MOSFET입니다.

브랜드 및 제조사

AMI 반도체 / ON 반도체

특징 및 기능

P-채널 MOSFET 기술

표면 장착 8-SOIC 패키지

높은 전력 손실 용량

드레인-소스 전압(Vdss) 20V

25°C에서의 지속적인 드레인 전류(Id) 3.8A

제품 성능

효과적인 Rds(온)는 3A, 10V에서 90mΩ입니다.

게이트 역치 전압(Vgs th) 최대 2V에서 250µA

게이트 전하(Qg) 최대 10V에서 18nC

입력 커패시턴스(Ciss) 최대 16V에서 630pF

구동 전압 최대 Rds 온: 4.5V, 최소 Rds 온: 10V

기술 사양

MOSFET 금속 산화물 기술

작동 온도 범위: -55°C에서 150°C까지

표면 장착형

습도 민감도 수준(MSL) 1(무제한)

크기, 형태 및 포장

8-SOIC 패키지 (0.154인치, 3.90mm 너비)

자동 조립을 위한 테이프 및 릴(TR) 포장

품질 및 신뢰성

습도 민감도 수준(MSL) 인증 보유

제품 장점

높은 지속적 드레인 전류 용량

폭넓은 작동 온도 범위를 위한 적합성

제품 경쟁력

넓은 작동 온도 범위로 인해 다용도성 확보

형태 요인에 대한 높은 전력 및 전류 등급

호환성

일반 PCB 조립 공정에 적합한 표면 장착 호환

5V에서 10V의 게이트 구동 전압에서 성능 극대화

표준 인증 및 준수

무연 상태 / RoHS 준수: 납 포함 / RoHS 비준수

수명 및 지속 가능성

규정된 작동 조건 내에서 긴 수명 제공

납 사용으로 인해 RoHS 비준수, 지속 가능성 제한

실제 적용 분야

전력 관리 응용 프로그램

여러 전자 장치의 스위칭 응용 프로그램

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