MMDF3N02HDR2 | |
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제품 모델 | MMDF3N02HDR2 |
제조사 | onsemi |
기술 | MOSFET N-CH 20V 3.8A 8SOIC |
가능 수량 | 2985 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
ECAD 모델 | |
데이터 시트 | 1.MMDF3N02HDR2.pdf2.MMDF3N02HDR2.pdf3.MMDF3N02HDR2.pdf |
MMDF3N02HDR2 Price |
온라인으로 가격 및 리드 타임 요청 or Email us: Info@ariat-tech.com |
MMDF3N02HDR2의 기술 정보 | |||
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제조업체 부품 번호 | MMDF3N02HDR2 | 범주 | |
제조사 | onsemi | 기술 | MOSFET N-CH 20V 3.8A 8SOIC |
패키지 / 케이스 | 8-SOIC | 가능 수량 | 2985 pcs |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 2V @ 250µA | Vgs (최대) | ±20V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | 8-SOIC |
연속 | - | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 90mOhm @ 3A, 10V |
전력 소비 (최대) | 2W (Ta) | 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
패키지 | Tape & Reel (TR) | 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 630 pF @ 16 V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 18 nC @ 10 V | FET 유형 | N-Channel |
FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20 V | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3.8A (Ta) |
기본 제품 번호 | MMDF3 | ||
다운로드 | MMDF3N02HDR2 PDF - EN.pdf |
MMDF3N02HDR2
파워 스위칭 응용 분야를 위한 P-채널 MOSFET입니다.
AMI 반도체 / ON 반도체
P-채널 MOSFET 기술
표면 장착 8-SOIC 패키지
높은 전력 손실 용량
드레인-소스 전압(Vdss) 20V
25°C에서의 지속적인 드레인 전류(Id) 3.8A
효과적인 Rds(온)는 3A, 10V에서 90mΩ입니다.
게이트 역치 전압(Vgs th) 최대 2V에서 250µA
게이트 전하(Qg) 최대 10V에서 18nC
입력 커패시턴스(Ciss) 최대 16V에서 630pF
구동 전압 최대 Rds 온: 4.5V, 최소 Rds 온: 10V
MOSFET 금속 산화물 기술
작동 온도 범위: -55°C에서 150°C까지
표면 장착형
습도 민감도 수준(MSL) 1(무제한)
8-SOIC 패키지 (0.154인치, 3.90mm 너비)
자동 조립을 위한 테이프 및 릴(TR) 포장
습도 민감도 수준(MSL) 인증 보유
높은 지속적 드레인 전류 용량
폭넓은 작동 온도 범위를 위한 적합성
넓은 작동 온도 범위로 인해 다용도성 확보
형태 요인에 대한 높은 전력 및 전류 등급
일반 PCB 조립 공정에 적합한 표면 장착 호환
5V에서 10V의 게이트 구동 전압에서 성능 극대화
무연 상태 / RoHS 준수: 납 포함 / RoHS 비준수
규정된 작동 조건 내에서 긴 수명 제공
납 사용으로 인해 RoHS 비준수, 지속 가능성 제한
전력 관리 응용 프로그램
여러 전자 장치의 스위칭 응용 프로그램
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MMDF3N02HDR2 구성 요소 | 인벤토리 | MMDF3N02HDR2 Digikey | |||
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