FQA12N60
제품 모델 FQA12N60
제조사 Fairchild Semiconductor
기술 MOSFET N-CH 600V 12A TO3P
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FQA12N60의 기술 정보
제조업체 부품 번호 FQA12N60 범주 이산 반도체 제품
제조사 Fairchild Semiconductor 기술 MOSFET N-CH 600V 12A TO3P
패키지 / 케이스 TO-3P 가능 수량 9750 pcs
아이디 @ VGS (일) (최대) 5V @ 250µA Vgs (최대) ±30V
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide) 제조업체 장치 패키지 TO-3P
연속 QFET® 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 700mOhm @ 6A, 10V
전력 소비 (최대) 240W (Tc) 패키지 / 케이스 TO-3P-3, SC-65-3
패키지 Tube 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1900 pF @ 25 V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 54 nC @ 10 V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 600 V 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 12A (Tc)
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