RJP63F3ADPP-B1-T2
제품 모델 RJP63F3ADPP-B1-T2
제조사 RENESAS
기술
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RJP63F3ADPP-B1-T2의 기술 정보
제조업체 부품 번호 RJP63F3ADPP-B1-T2 범주 집적회로 (ic)
제조사 Renesas Technology Corp 기술
패키지 / 케이스 TO-220F 가능 수량 5362 pcs
조건 New Original Stock 보증 100% Perfect Functions
리드 타임 2-3days after payment. 지불 PayPal / Telegraphic Transfer / Western Union
출하 기준 DHL / Fedex / UPS 포트 HongKong
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제품 모델

RJP63F3ADPP-B1-T2

소개

실리콘 N 채널 IGBT 고속 전력 스위칭

브랜드 및 제조사

르네사스 테크놀로지(주)

특징 및 기능

고속 스위칭, 낮은 포화 전압, 높은 입력 임피던스, 내장형 패스트 리커버리 다이오드

제품 성능

고주파 작동에서 내구성, 최소 전력 손실, 효율적인 열 성능, 고온 환경에서 강력함

기술 사양

IGBT 실리콘 N 채널 유형, 수집기-방출기 전압: 630V, 수집기 전류: 35A, 게이트-방출기 전압: ±30V, 수집기 소산: 40W

크기, 형태 및 포장

TO-220FP 패키지 유형, 간편한 장착을 위한 표준 패키지, 크기: 약 10mm x 4.5mm x 15mm

품질 및 신뢰성

르네사스 테크놀로지 기준에 따른 품질 보증, 다양한 회로에서 proven된 신뢰성

제품 장점

전자기기에서 에너지 절약 기능 제공, 전기 시스템의 효율성 향상

제품 경쟁력

유사 고속 스위칭 트랜지스터와 경쟁, 시장에서 널리 사용되고 신뢰받음

호환성

여러 유형의 고속 스위칭 응용 프로그램과 호환 가능, 유사 IGBT 모델과 호환

표준 인증 및 준수

국제 전자 표준 준수

수명 및 지속 가능성

적절한 사용과 열 관리를 통한 긴 수명, 에너지 효율 기여를 고려한 친환경적

실제 적용 분야

전원 장치, 고주파 인버터, 모터 드라이브, 재생 에너지를 위한 인버터 응용

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