| STB30NF10T4 | |
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| 제품 모델 | STB30NF10T4 |
| 제조사 | STMicroelectronics |
| 기술 | MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK |
| 가능 수량 | 11309 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
| ECAD 모델 | |
| 데이터 시트 | 1.STB30NF10T4.pdf2.STB30NF10T4.pdf3.STB30NF10T4.pdf4.STB30NF10T4.pdf5.STB30NF10T4.pdf |
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| STB30NF10T4 Price |
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| STB30NF10T4의 기술 정보 | |||
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| 제조업체 부품 번호 | STB30NF10T4 | 범주 | |
| 제조사 | STMicroelectronics | 기술 | MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK |
| 패키지 / 케이스 | D2PAK | 가능 수량 | 11309 pcs |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | Vgs (최대) | ±20V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | D2PAK |
| 연속 | STripFET™ II | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 45mOhm @ 15A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 115W (Tc) | 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1180 pF @ 25 V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 55 nC @ 10 V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100 V | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 35A (Tc) |
| 기본 제품 번호 | STB30 | STB30NF10T4 세부 정보 PDF [English] | STB30NF10T4 PDF - EN.pdf |
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제품 모델
STB30NF10T4
소개
전력 스위칭 응용 분야를 위한 N-채널 MOSFET
브랜드 및 제조사
ST마이크로일렉트로닉스
특징 및 기능
메탈 산화물 반도체 기술, 표면 실장 D2PAK, 115W의 높은 전력 소산, 드레인-소스 전압(Vdss) 100V, 지속적인 드레인 전류(Id) 35A, 낮은 Rds On 45mΩ, 게이트 전하(Qg) 55nC
제품 성능
작동 온도 범위 -55°C에서 175°C까지, 효율적인 전력 변환
기술 사양
N-채널, 100V Vdss, 표면 실장 TO-263-3 패키지, 전력 소산 115W (Tc)
크기, 형태 및 포장
TO-263-3, D2PAK 패키지, 컷 테이프(CT) 포장으로 제공됨
품질 및 신뢰성
습기 감도 수준(MSL) 1, 무납, RoHS 준수
제품 장점
높은 온도 성능, 효율적인 전력 처리, 낮은 Rds로 인한 전력 손실 감소
제품 경쟁력
고성능 응용 분야를 위해 설계됨
호환성
현대 표면 실장 기술과 호환됨
표준 인증 및 준수
RoHS 지침 준수, 무납 제품
수명 및 지속 가능성
오랜 신뢰성을 위한 내구성 있는 설계
실제 적용 분야
전원 공급 장치, 모터 제어, 부하 스위칭, 전력 관리 시스템
이메일 : Info@Ariat-Tech.com 또는 RFQ STB30NF10T4 온라인.
| STB30NF10T4 증권 | STB30NF10T4 가격 | STB30NF10T4 전자 | |||
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| 공급 업체 STB30NF10T4 | STB30NF10T4 온라인 주문 | 문의 STB30NF10T4 | |||
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