STD3NK50ZT4
제품 모델 STD3NK50ZT4
제조사 STMicroelectronics
기술 MOSFET N-CH 500V 2.3A DPAK
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STD3NK50ZT4의 기술 정보
제조업체 부품 번호 STD3NK50ZT4 범주  
제조사 STMicroelectronics 기술 MOSFET N-CH 500V 2.3A DPAK
패키지 / 케이스 DPAK 가능 수량 8000 pcs
아이디 @ VGS (일) (최대) 4.5V @ 50µA Vgs (최대) ±30V
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide) 제조업체 장치 패키지 DPAK
연속 SuperMESH™ 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 3.3Ohm @ 1.15A, 10V
전력 소비 (최대) 45W (Tc) 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
패키지 Tape & Reel (TR) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 280 pF @ 25 V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 15 nC @ 10 V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 500 V 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.3A (Tc)
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제품 모델

STD3NK50ZT4

소개

고전압 N채널 MOSFET

브랜드 및 제조사

ST마이크로일렉트로닉스

특징 및 기능

메탈 산화물 반도체 기술

N채널 타입

높은 드레인-소스 전압 - 500V

낮은 온 저항 - 3.3 옴

게이트 용량 - 15nC

입력 정전 용량 - 280pF

높은 작동 온도 범위

제품 성능

연속 드레인 전류 - 2.3A

전력 소산 - 45W

게이트 임계 전압 - 4.5V

구동 전압 - 10V

게이트-소스 전압 - ±30V

기술 사양

MOSFET (메탈 산화물) 기술

표면 실장 타입

DPAK 패키지

납 없음 / RoHS 준수

크기, 형태 및 포장

TO-252-3, DPak (2 리드 + 탭), SC-63

테이프 및 릴(TR) 포장

품질 및 신뢰성

습기 민감도 수준 (MSL) 1

제품 장점

고전압 성능

효율적인 전력 소산

제품 경쟁력

SuperMESH 시리즈에서 낮은 온 저항 제공

개선된 강인성을 위해 설계됨

호환성

표면 실장 조립에 적합

표준 인증 및 준수

RoHS 준수

수명 및 지속 가능성

긴 수명을 위한 고온 내성

실제 적용 분야

스위칭 응용 분야에 적합

전력 공급 관리

고전압 변환 시스템

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