STL220N6F7
제품 모델 STL220N6F7
제조사 STMicroelectronics
기술 MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT
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STL220N6F7의 기술 정보
제조업체 부품 번호 STL220N6F7 범주  
제조사 STMicroelectronics 기술 MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT
패키지 / 케이스 PowerFlat™ (5x6) 가능 수량 8003 pcs
아이디 @ VGS (일) (최대) 4V @ 250µA Vgs (최대) ±20V
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide) 제조업체 장치 패키지 PowerFlat™ (5x6)
연속 STripFET™ F7 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 1.4mOhm @ 20A, 10V
전력 소비 (최대) 4.8W (Ta), 187W (Tc) 패키지 / 케이스 8-PowerVDFN
패키지 Tape & Reel (TR) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 6600 pF @ 25 V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 100 nC @ 10 V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 60 V 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 120A (Tc)
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제품 모델

STL220N6F7

소개

고성능 N채널 MOSFET

브랜드 및 제조사

ST마이크로일렉트로닉스

특징 및 기능

높은 전류 처리 능력

낮은 Rds(온)으로 인한 높은 효율성

고밀도 전력 응용 프로그램 지원

강화된 열 성능

제품 성능

25°C에서의 연속 드레인 전류: 260A

높은 전력 분산 능력: 4.8W (Ta), 187W (Tc)

-55°C에서 175°C까지의 넓은 온도 범위에서 효과적으로 작동

기술 사양

60V 드레인 - 소스 전압 (Vdss)

20A, 10V에서의 Rds 온: 1.4 mOhm

250µA에서의 게이트 스레시홀드 전압 (Vgs(th)): 4V

10V에서의 게이트 전하 (Qg): 100nC

25V에서의 입력 캐패시턴스 (Ciss): 6600pF

크기, 형태 및 포장

표면 장착형, 8-PowerVDFN

컷 테이프 (CT) 포장

PowerFlat (5x6) 패키지

품질 및 신뢰성

무납물질 및 RoHS 준수

습기 민감도 수준 (MSL): 1 (무제한)

제품 장점

전력 효율성과 밀도를 최적화

강력한 열 관리 특성

제품 경쟁력

전력 관리 회로에서 높은 효율성과 신뢰성을 요구하는 시장에서 경쟁력 있음

호환성

표준 표면 장착 공정과 호환

효율적인 스위칭을 위해 최대 10V의 구동 전압 호환

표준 인증 및 준수

무납물질 / RoHS 준수

수명 및 지속 가능성

엄격한 조건에서 긴 작동 수명 설계

무납 재료로 제작된 지속 가능한 제품

실제 적용 분야

전원 공급 장치

모터 제어 시스템

인버터 회로

자동차 응용

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