STQ1HNK60R-AP
제품 모델 STQ1HNK60R-AP
제조사 STMicroelectronics
기술 MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
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STQ1HNK60R-AP의 기술 정보
제조업체 부품 번호 STQ1HNK60R-AP 범주  
제조사 STMicroelectronics 기술 MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
패키지 / 케이스 TO-92-3 가능 수량 12000 pcs
아이디 @ VGS (일) (최대) 3.7V @ 250µA Vgs (최대) ±30V
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide) 제조업체 장치 패키지 TO-92-3
연속 SuperMESH™ 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 8.5Ohm @ 500mA, 10V
전력 소비 (최대) 3W (Tc) 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
패키지 Cut Tape (CT) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 156 pF @ 25 V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 10 nC @ 10 V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 600 V 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 400mA (Tc)
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제품 모델

STQ1HNK60R-AP

소개

N-채널 600V 400mA MOSFET

브랜드 및 제조사

STMicroelectronics

특징 및 기능

N-채널 MOSFET, 금속 산화물 기술, 스루 홀 장착형, 600V까지의 고전압 능력

제품 성능

25°C에서 연속 드레인 전류 400mA, 최대 3W의 전력 소모, 500mA 및 10V에서 최대 8.5Ω의 온 저항(Rds On), 250μA에서 최대 3.7V의 게이트 스레시홀드 전압(Vgs(th)), 10V에서 최대 10nC의 게이트 전하(Qg), 25V에서 최대 156pF의 입력 커패시턴스(Ciss), Rds On의 최대 및 최소를 위한 10V의 드라이브 전압

기술 사양

MOSFET 기술, 600V의 드레인-소스 전압(Vdss), ±30V의 게이트-소스 전압(Vgs Max)

크기, 형태 및 포장

TO-92-3 패키지, TO-226-3 표준에 기준한 패키지 치수, 테이프 및 박스(TB) 포장

품질 및 신뢰성

무연 및 RoHS 준수, 습도 민감도 수준(MSL) 1 (무제한)

제품 장점

고전압 능력, 효율적인 작동을 위한 낮은 온 저항, 간단한 스루 홀 설치

제품 경쟁력

고전압 애플리케이션에서 경쟁력, 높은 신뢰성을 요구하는 컴팩트한 설계에 적합

호환성

고전압 임계값을 요구하는 다양한 전자 제어 시스템과 호환 가능

표준 인증 및 준수

무연 및 RoHS를 포함한 최신 환경 기준 준수

수명 및 지속 가능성

장기적인 신뢰성을 위한 내구성 설계

실제 적용 분야

전력 관리 애플리케이션에서 사용, 소비자 전자제품, 산업 시스템 및 통신 장비의 스위칭 애플리케이션에 적합

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