| STW88N65M5 | |
|---|---|
| 제품 모델 | STW88N65M5 |
| 제조사 | STMicroelectronics |
| 기술 | MOSFET N-CH 650V 84A TO247-3 |
| 가능 수량 | 1080 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
| ECAD 모델 | |
| 데이터 시트 | 1.STW88N65M5.pdf2.STW88N65M5.pdf3.STW88N65M5.pdf4.STW88N65M5.pdf |
| STW88N65M5 Price |
온라인으로 가격 및 리드 타임 요청 or Email us: Info@ariat-tech.com |
| STW88N65M5의 기술 정보 | |||
|---|---|---|---|
| 제조업체 부품 번호 | STW88N65M5 | 범주 | |
| 제조사 | STMicroelectronics | 기술 | MOSFET N-CH 650V 84A TO247-3 |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 | 가능 수량 | 1080 pcs |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 250µA | Vgs (최대) | ±25V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | TO-247-3 |
| 연속 | MDmesh™ V | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 29mOhm @ 42A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 450W (Tc) | 패키지 / 케이스 | TO-247-3 |
| 패키지 | Tube | 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 8825 pF @ 100 V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 204 nC @ 10 V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 650 V | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 84A (Tc) |
| 기본 제품 번호 | STW88 | ||
| 다운로드 | STW88N65M5 PDF - EN.pdf | ||
제품 모델
STW88N65M5
소개
고전압 N-채널 MOSFET
브랜드 및 제조사
ST마이크로일렉트로닉스
특징 및 기능
N-채널 MOSFET 기술, 드레인-소스 전압(Vdss) 650V, 최대 150°C(TJ)까지 작동 온도, 관통 홀 장착 TO-247-3 패키지, 25°C에서 84A의 높은 지속 드레인 전류, 29 mOhm의 낮은 Rds(on) 값, 10V에서 204nC의 게이트 전하(Qg)
제품 성능
최대 전력 소산 450W, 250A에서 5V의 임계 전압(Vgs(th)), 100V에서 8825pF의 입력 커패시턴스(Ciss), ±25V의 게이트-소스 전압(Vgs Max)
기술 사양
FET 유형: N-채널, 드레인-소스 전압: 650V, 지속 드레인 전류: 84A (Tc), Rds on: 29 mOhm
크기, 형태 및 포장
패키지/형태: TO-247-3, 장착 유형: 관통 홀, 포장: 튜브
품질 및 신뢰성
습기 민감도 수준(MSL): 1 (무제한)
제품 장점
높은 전력 효율 요구 사항이 있는 애플리케이션을 위한 설계
제품 경쟁력
온 저항 감소 및 스위칭 손실 감소를 제공하는 MDmesh V 시리즈의 일환
호환성
표준 PCB 장착 기술과 호환되는 관통 홀 디자인
표준 인증 및 준수
납 무함유 / RoHS 인증
수명 및 지속 가능성
장기 신뢰성을 위한 내구성 있는 구조
실제 적용 분야
컨버터 및 인버터를 포함한 다양한 파워 애플리케이션에 적합
이메일 : Info@Ariat-Tech.com 또는 RFQ STW88N65M5 온라인.
| STW88N65M5 증권 | STW88N65M5 가격 | STW88N65M5 전자 | |||
| STW88N65M5 구성 요소 | 인벤토리 | STW88N65M5 Digikey | |||
| 공급 업체 STW88N65M5 | STW88N65M5 온라인 주문 | 문의 STW88N65M5 | |||
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