TSD14N100V | |
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제품 모델 | TSD14N100V |
제조사 | ST |
기술 | IGBT Modules |
가능 수량 | 2546 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
ECAD 모델 | |
데이터 시트 | TSD14N100V.pdf |
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TSD14N100V Price |
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TSD14N100V의 기술 정보 | |||
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제조업체 부품 번호 | TSD14N100V | 범주 | 이산 반도체 제품 |
제조사 | ST | 기술 | IGBT Modules |
패키지 / 케이스 | 가능 수량 | 2546 pcs | |
조건 | New Original Stock | 보증 | 100% Perfect Functions |
리드 타임 | 2-3days after payment. | 지불 | PayPal / Telegraphic Transfer / Western Union |
출하 기준 | DHL / Fedex / UPS | 포트 | HongKong |
RFQ 이메일 | TSD14N100V 세부 정보 PDF [English] | TSD14N100V PDF - EN.pdf | |
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TSD14N100V
STMicroelectronics에서 설계한 절연 게이트 양극 트랜지스터로, 고전력 스위칭 애플리케이션에 적합합니다.
STMicroelectronics
낮은 Vce(sat)로 인해 낮은 온 상태 전압 강하, 높은 전류 처리 능력, 빠른 스위칭 속도, 쉬운 병렬 연결을 위한 양의 온도 계수, 통합된 자유 휠링 다이오드.
고주파 애플리케이션에서 높은 효율성, 우수한 열 성능, 다양한 조건에서 견고하고 신뢰할 수 있는 작동.
컬렉터-이미터 전압: 1000V, 연속 컬렉터 전류: 데이터 시트에 명시됨, 게이트-이미터 전압: 데이터 시트에 명시됨, 전력 소산: 데이터 시트에 명시됨.
패키지 유형: 데이터 시트에 명시됨, 치수: 데이터 시트에 명시됨, 배송 구성: 튜브, 릴 또는 트레이 포장.
고온에서의 작동 테스트 완료, 철저한 품질 관리 절차를 통과, 신뢰성을 위한 국제 표준 준수.
향상된 전력 관리, 에너지 손실 감소, 다양한 애플리케이션에 적합, 최첨단 장치 기술.
비용 효율적인 솔루션, 전통적인 전력 트랜지스터와 비교하여 우수한 성능.
표준 IGBT 드라이버 및 컨트롤러와 호환, 일반 방열판 프로파일에 적합.
RoHS 준수, IGBT에 대한 산업 표준 사양 충족.
긴 작동 생애를 위해 설계됨, 에너지 효율적인 작동으로 탄소 발자국 감소.
인버터, 전원 공급 장치, 모터 드라이브, 전기차 추진 시스템, 인덕션 히팅 시스템.
TSD14N100V 증권 | TSD14N100V 가격 | TSD14N100V 전자 | |||
TSD14N100V 구성 요소 | 인벤토리 | TSD14N100V Digikey | |||
공급 업체 TSD14N100V | TSD14N100V 온라인 주문 | 문의 TSD14N100V | |||
TSD14N100V 이미지 | TSD14N100V 그림 | TSD14N100V PDF | |||
TSD14N100V 데이터 시트 | TSD14N100V 데이터 시트 다운로드 | 제조업체 |
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영상 | 제품 모델 | 기술 | 제조사 | 견적 | |
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