CY62177EV30LL-55BAXI | |
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제품 모델 | CY62177EV30LL-55BAXI |
제조사 | Infineon Technologies |
기술 | IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48FBGA |
가능 수량 | 2500 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
ECAD 모델 | |
데이터 시트 | 1.CY62177EV30LL-55BAXI.pdf2.CY62177EV30LL-55BAXI.pdf3.CY62177EV30LL-55BAXI.pdf4.CY62177EV30LL-55BAXI.pdf5.CY62177EV30LL-55BAXI.pdf |
CY62177EV30LL-55BAXI Price |
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CY62177EV30LL-55BAXI의 기술 정보 | |||
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제조업체 부품 번호 | CY62177EV30LL-55BAXI | 범주 | 집적회로 (ic) |
제조사 | Cypress Semiconductor | 기술 | IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48FBGA |
패키지 / 케이스 | 48-FBGA (8x9.5) | 가능 수량 | 2500 pcs |
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 | 55ns | 전압 - 공급 | 2.2V ~ 3.7V |
과학 기술 | SRAM - Asynchronous | 제조업체 장치 패키지 | 48-FBGA (8x9.5) |
연속 | MoBL® | 패키지 / 케이스 | 48-TFBGA |
패키지 | Tray | 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
실장 형 | Surface Mount | 메모리 유형 | Volatile |
메모리 크기 | 32Mbit | 메모리 조직 | 4M x 8, 2M x 16 |
메모리 인터페이스 | Parallel | 메모리 형식 | SRAM |
기본 제품 번호 | CY62177 | 액세스 시간 | 55 ns |
다운로드 | CY62177EV30LL-55BAXI PDF - EN.pdf |
CY62177EV30LL-55BAXI
고성능 32Mbit 비동기 SRAM
인피니언 테크놀로지스
55ns의 고속 접근 시간
2V에서 3.7V까지의 낮은 작동 전압 범위
4M x 8 및 2M x 16 메모리 조직 모두 사용 가능
비동기 메모리 인터페이스 지원
저전력 애플리케이션을 위한 MoBL® (더 긴 배터리 수명™) 시리즈
휘발성 메모리 요구에 대한 내구성 및 내압 향상
55ns 워드/페이지에서 효율적인 읽기 및 쓰기 사이클
-40°C에서 85°C까지의 강력한 작동 온도 범위
메모리 크기: 32Mbit
메모리 형식: SRAM
기술: 비동기 SRAM
쓰기 사이클 시간: 55ns
48-TFBGA 패키지
FBGA 크기: 8x9.5mm
트레이 포장으로 제공
다양한 조건에서 높은 성능과 신뢰성을 위한 엔지니어링
확장된 작동 온도 범위는 다양한 환경에서의 신뢰성을 보장
지연 없이 즉각적인 데이터 접근
확장된 배터리 수명을 위한 에너지 효율적인 설계
저전압 작동으로 최신 에너지 절약 설계와의 호환성 지원
고속 메모리 성능에서의 경쟁 우위
다양한 응용 분야를 위한 속도와 전력 효율성의 균형
다양한 마이크로프로세서 및 디지털 신호 프로세서와의 폭넓은 호환성
전자 메모리 구성 요소에 대한 표준 인증 준수
장기 사용을 위한 내구성 있는 설계
에너지 효율적인 전자 제품을 위한 노력 지원
내장 시스템, 네트워킹, 통신 및 컴퓨팅 장치와 같이 고속 메모리 접근이 필요한 애플리케이션에 적합.