CY7C1021BN-15ZXC | |
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제품 모델 | CY7C1021BN-15ZXC |
제조사 | Infineon Technologies |
기술 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II |
가능 수량 | 2616 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
ECAD 모델 | |
데이터 시트 | 1.CY7C1021BN-15ZXC.pdf2.CY7C1021BN-15ZXC.pdf3.CY7C1021BN-15ZXC.pdf |
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CY7C1021BN-15ZXC Price |
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CY7C1021BN-15ZXC의 기술 정보 | |||
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제조업체 부품 번호 | CY7C1021BN-15ZXC | 범주 | 집적회로 (ic) |
제조사 | Cypress Semiconductor | 기술 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II |
패키지 / 케이스 | 44-TSOP II | 가능 수량 | 2616 pcs |
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 | 15ns | 전압 - 공급 | 4.5V ~ 5.5V |
과학 기술 | SRAM - Asynchronous | 제조업체 장치 패키지 | 44-TSOP II |
연속 | - | 패키지 / 케이스 | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
패키지 | Tube | 작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) |
실장 형 | Surface Mount | 메모리 유형 | Volatile |
메모리 크기 | 1Mbit | 메모리 조직 | 64K x 16 |
메모리 인터페이스 | Parallel | 메모리 형식 | SRAM |
기본 제품 번호 | CY7C1021 | 액세스 시간 | 15 ns |
CY7C1021BN-15ZXC 세부 정보 PDF [English] | CY7C1021BN-15ZXC PDF - EN.pdf | ||
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CY7C1021BN-15ZXC
고속 1Mbit SRAM 메모리 칩
인피니온 테크놀로지스
비동기 SRAM
고밀도 1Mbit 저장소
병렬 메모리 인터페이스
빠른 접근 및 쓰기 사이클 시간
접근 시간 15ns
쓰기 사이클 시간 15ns
강력한 읽기/쓰기 성능
메모리 유형: 휘발성 SRAM
메모리 형식: SRAM - 비동기
메모리 크기: 1Mbit
메모리 구성: 64K x 16
표면 장착
44-TSOP II 패키지 (0.400인치, 10.16mm 폭)
0°C에서 70°C까지의 작동 온도 범위
고속 응용 프로그램을 위한 빠른 접근 시간
동급에서 경쟁력 있는 쓰기 및 접근 속도 제공
병렬 인터페이스 시스템과 호환 가능
전자 부품에 대한 표준 산업 인증 준수
온도 범위 내에서 장기 신뢰성 있는 작동을 위해 설계됨
내장 시스템, 통신 및 컴퓨팅 응용 프로그램에서 휘발성 메모리에 대한 빠른 접근이 필요한 경우 사용