CY7C1312BV18-200BZXC | |
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제품 모델 | CY7C1312BV18-200BZXC |
제조사 | Infineon Technologies |
기술 | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA |
가능 수량 | 2598 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
ECAD 모델 | |
데이터 시트 | 1.CY7C1312BV18-200BZXC.pdf2.CY7C1312BV18-200BZXC.pdf3.CY7C1312BV18-200BZXC.pdf |
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CY7C1312BV18-200BZXC Price |
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CY7C1312BV18-200BZXC의 기술 정보 | |||
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제조업체 부품 번호 | CY7C1312BV18-200BZXC | 범주 | 집적회로 (ic) |
제조사 | Cypress Semiconductor | 기술 | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA |
패키지 / 케이스 | 165-FBGA (13x15) | 가능 수량 | 2598 pcs |
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 | - | 전압 - 공급 | 1.7V ~ 1.9V |
과학 기술 | SRAM - Synchronous, QDR II | 제조업체 장치 패키지 | 165-FBGA (13x15) |
연속 | - | 패키지 / 케이스 | 165-LBGA |
패키지 | Tray | 작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) |
실장 형 | Surface Mount | 메모리 유형 | Volatile |
메모리 크기 | 18Mbit | 메모리 조직 | 1M x 18 |
메모리 인터페이스 | Parallel | 메모리 형식 | SRAM |
클럭 주파수 | 200 MHz | 기본 제품 번호 | CY7C1312 |
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CY7C1312BV18-200BZXC
고속 동기, 퀵데이터레이트(Quadruple Data Rate II) SRAM 메모리
Infineon Technologies
대용량 18Mbit 저장 용량, 동기화 작동, QDR II SRAM 기술을 통한 성능 향상
200MHz 클럭 주파수로 빠른 데이터 접근 및 전송, 넓은 작동 온도 범위(0°C ~ 70°C)
18Mbit 메모리 크기, 1M x 18 메모리 구성, 병렬 메모리 인터페이스
표면 마운트 165-LBGA 패키지, 공급업체 장치 패키지 165-FBGA(13x15)
제품이 오래된 상태로, 제한적인 가용성이나 지원을 의미
QDR II SRAM 기술이 필요한 제품 백호환 시스템에 효과적인 솔루션
고속 메모리 요구사항에 대해 한 때 경쟁력 있는 선택
병렬 인터페이스 및 높은 클럭 주파수가 필요한 응용 프로그램을 위해 설계
전자 구성 요소에 대해 일반적으로 요구되는 표준 규정에 준수
오래된 상태로 제한되어, 장기적인 지속 가능성과 지원에 영향
네트워킹 및 통신 장비와 같이 빠른 메모리 접근이 필요한 다양한 전자 시스템에 사용됨