| CY7C1339B-133BGI | |
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| 제품 모델 | CY7C1339B-133BGI |
| 제조사 | Cypress Semiconductor Corp |
| 기술 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 119PBGA |
| 가능 수량 | 4110 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
| ECAD 모델 | |
| 데이터 시트 | |
| CY7C1339B-133BGI Price |
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| CY7C1339B-133BGI의 기술 정보 | |||
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| 제조업체 부품 번호 | CY7C1339B-133BGI | 범주 | 집적회로 (ic) |
| 제조사 | Cypress Semiconductor | 기술 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 119PBGA |
| 패키지 / 케이스 | 119-PBGA (14x22) | 가능 수량 | 4110 pcs |
| 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 | - | 전압 - 공급 | 3.15V ~ 3.6V |
| 과학 기술 | SRAM - Synchronous, SDR | 제조업체 장치 패키지 | 119-PBGA (14x22) |
| 연속 | - | 패키지 / 케이스 | 119-BGA |
| 패키지 | Bulk | 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 실장 형 | Surface Mount | 메모리 유형 | Volatile |
| 메모리 크기 | 4Mbit | 메모리 조직 | 128K x 32 |
| 메모리 인터페이스 | Parallel | 메모리 형식 | SRAM |
| 클럭 주파수 | 133 MHz | 기본 제품 번호 | CY7C1339 |
| 액세스 시간 | 4 ns |
제품 모델
CY7C1339B-133BGI
소개
128K x 32 구성의 4Mbit 동기식 SRAM(정적 임의 접근 메모리)입니다.
브랜드 및 제조사
인피니온 테크놀로지스
특징 및 기능
메모리 유형: 휘발성
메모리 형식: SRAM
메모리 구성: 128K x 32
메모리 인터페이스: 병렬
클럭 주파수: 133 MHz
접근 시간: 4 ns
전압 공급: 3.15V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C
장착 유형: 표면 장착
패키지: 119-BGA
제품 성능
빠른 읽기 및 쓰기 작업
일관된 고속 성능
신뢰할 수 있는 병렬 인터페이스
광범위한 온도 범위에서 안정성
기술 사양
기술: SRAM 동기식, SDR
메모리 크기: 4Mbit
쓰기 주기 시간: 명시되지 않음
공급업체 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)
기본 제품 번호: CY7C1339
크기, 형태 및 포장
패키지/케이스: 119-BGA
형태: 직사각형
대량 포장
표면 장착을 위한 컴팩트한 디자인
품질 및 신뢰성
품질과 신뢰성으로 알려진 인피니온 테크놀로지스에서 제조됨
산업 응용에 적합
높은 내구성을 위해 설계됨
제품 장점
고속 작동
다양한 메모리 구성
넓은 작동 온도 범위
다양한 응용에 적합
제품 경쟁력
안정적인 병렬 인터페이스를 갖춘 고속 메모리 제공
빠른 데이터 접근이 필요한 응용에 이상적
호환성
다양한 전자 시스템과 호환
표준 표면 장착 기술과 함께 작동
표준 인증 및 준수
메모리 장치에 대한 산업 표준을 충족
환경 및 안전 규정을 준수
수명 및 지속 가능성
긴 수명을 위해 설계됨
부품은 지속 가능성을 위해 설계됨
실제 적용 분야
산업 자동화
통신
네트워킹 장비
임베디드 시스템
소비자 전자기기
이메일 : Info@Ariat-Tech.com 또는 RFQ CY7C1339B-133BGI 온라인.
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| CY7C1339B-133BGI 구성 요소 | 인벤토리 | CY7C1339B-133BGI Digikey |
| 공급 업체 CY7C1339B-133BGI | CY7C1339B-133BGI 온라인 주문 | 문의 CY7C1339B-133BGI |
| CY7C1339B-133BGI 이미지 | CY7C1339B-133BGI 그림 | CY7C1339B-133BGI PDF |
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