CY7C1383D-100AXC | |
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제품 모델 | CY7C1383D-100AXC |
제조사 | Infineon Technologies |
기술 | IC SRAM 18MBIT PAR 100TQFP |
가능 수량 | 2814 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
ECAD 모델 | |
데이터 시트 | 1.CY7C1383D-100AXC.pdf2.CY7C1383D-100AXC.pdf3.CY7C1383D-100AXC.pdf |
CY7C1383D-100AXC Price |
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CY7C1383D-100AXC의 기술 정보 | |||
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제조업체 부품 번호 | CY7C1383D-100AXC | 범주 | 집적회로 (ic) |
제조사 | Cypress Semiconductor | 기술 | IC SRAM 18MBIT PAR 100TQFP |
패키지 / 케이스 | 100-TQFP (14x20) | 가능 수량 | 2814 pcs |
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 | - | 전압 - 공급 | 3.135V ~ 3.6V |
과학 기술 | SRAM - Synchronous, SDR | 제조업체 장치 패키지 | 100-TQFP (14x20) |
연속 | - | 패키지 / 케이스 | 100-LQFP |
패키지 | Bag | 작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) |
실장 형 | Surface Mount | 메모리 유형 | Volatile |
메모리 크기 | 18Mbit | 메모리 조직 | 1M x 18 |
메모리 인터페이스 | Parallel | 메모리 형식 | SRAM |
클럭 주파수 | 100 MHz | 기본 제품 번호 | CY7C1383 |
액세스 시간 | 8.5 ns | ||
다운로드 | CY7C1383D-100AXC PDF - EN.pdf |
CY7C1383D-100AXC
고성능 데이터 버퍼링을 위해 설계된 고속 동기 SRAM입니다.
인피니온 테크놀로지스
휘발성 메모리 유형
동기 SRAM 기술
병렬 메모리 인터페이스
고주파수 작동 지원
18Mbit 메모리 용량
구성: 1M x 18
최대 클럭 주파수: 100 MHz
접근 시간: 8.5 ns
공급 전압 범위: 3.135V에서 3.6V
메모리 유형: SRAM - 동기, SDR
메모리 구성: 1M x 18
클럭 주파수: 100 MHz
접근 시간: 8.5 ns
전압 - 공급: 3.135V ~ 3.6V
표면 실장형 마운팅 타입
100-LQFP 패키지
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)
0°C에서 70°C 사이의 신뢰성 있는 작동을 위해 설계됨
고속 응용에 적합한 빠른 접근 시간
컴팩트한 LQFP 패키징
동급에서 경쟁력 있는 접근 속도 제공
고성능 컴퓨팅 요구에 적합
고주파수 병렬 메모리 인터페이스를 요구하는 시스템과 호환
SRAM을 위한 표준 산업 사양을 준수
지정된 운영 온도 내에서 내구성을 최적화
네트워킹 하드웨어, 통신 장비 및 고속 컴퓨팅 장치에서 사용
CY7C1383D-100AXC 증권 | CY7C1383D-100AXC 가격 | CY7C1383D-100AXC 전자 |
CY7C1383D-100AXC 구성 요소 | 인벤토리 | CY7C1383D-100AXC Digikey |
공급 업체 CY7C1383D-100AXC | CY7C1383D-100AXC 온라인 주문 | 문의 CY7C1383D-100AXC |
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