S25FL204K0TMFI010 | |
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제품 모델 | S25FL204K0TMFI010 |
제조사 | Infineon Technologies |
기술 | IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8SOIC |
가능 수량 | 8075 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
ECAD 모델 | |
데이터 시트 | 1.S25FL204K0TMFI010.pdf2.S25FL204K0TMFI010.pdf3.S25FL204K0TMFI010.pdf4.S25FL204K0TMFI010.pdf |
S25FL204K0TMFI010 Price |
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S25FL204K0TMFI010의 기술 정보 | |||
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제조업체 부품 번호 | S25FL204K0TMFI010 | 범주 | 집적회로 (ic) |
제조사 | Cypress Semiconductor | 기술 | IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8SOIC |
패키지 / 케이스 | 8-SOIC | 가능 수량 | 8075 pcs |
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 | 5ms | 전압 - 공급 | 2.7V ~ 3.6V |
과학 기술 | FLASH - NOR | 제조업체 장치 패키지 | 8-SOIC |
연속 | FL2-K | 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
패키지 | Tray | 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
실장 형 | Surface Mount | 메모리 유형 | Non-Volatile |
메모리 크기 | 4Mbit | 메모리 조직 | 512K x 8 |
메모리 인터페이스 | SPI | 메모리 형식 | FLASH |
클럭 주파수 | 85 MHz | 기본 제품 번호 | S25FL204 |
다운로드 | S25FL204K0TMFI010 PDF - EN.pdf |
S25FL204K0TMFI010
4Mbit SPI NOR 플래시 메모리 구성 요소입니다.
인피니언 테크놀로지스
비휘발성 플래시 메모리, SPI 메모리 인터페이스, 단어나 페이지에 대해 5ms의 쓰기 주기 시간.
메모리 크기: 4Mbit, 메모리 구성: 512K x 8, 클럭 주파수: 85 MHz, -40°C에서 85°C까지의 온도에서 효율적으로 작동.
기술: FLASH - NOR, 공급 전압: 2.7V에서 3.6V, 장착 유형: 표면 실장.
8-SOIC 패키지, 크기: 너비 5.30mm.
열악한 조건에서도 높은 안정성과 내구성을 위해 설계되었습니다.
85 MHz에서 고속 작동, 넓은 작동 전압 범위.
구식 상태로 인해 새로운 시장에서의 경쟁력이 제한적, 레거시 시스템에 대해 높은 신뢰성을 제공합니다.
SPI 인터페이스와 2.7V에서 3.6V 공급 전압이 필요한 시스템과 호환됩니다.
SOIC-8 포장에 대한 표준 산업 사양을 준수합니다.
지정된 작동 조건에서 장기적인 신뢰성을 위해 설계되었습니다.
레거시 임베디드 시스템, 산업 응용 프로그램 및 저밀도 비휘발성 저장이 필요한 곳에서 사용됩니다.
S25FL204K0TMFI010 증권 | S25FL204K0TMFI010 가격 | S25FL204K0TMFI010 전자 |
S25FL204K0TMFI010 구성 요소 | 인벤토리 | S25FL204K0TMFI010 Digikey |
공급 업체 S25FL204K0TMFI010 | S25FL204K0TMFI010 온라인 주문 | 문의 S25FL204K0TMFI010 |
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