S29GL01GS11TFIV20 | |
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제품 모델 | S29GL01GS11TFIV20 |
제조사 | Infineon Technologies |
기술 | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP |
가능 수량 | 5200 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
ECAD 모델 | |
데이터 시트 | 1.S29GL01GS11TFIV20.pdf2.S29GL01GS11TFIV20.pdf3.S29GL01GS11TFIV20.pdf4.S29GL01GS11TFIV20.pdf |
S29GL01GS11TFIV20 Price |
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S29GL01GS11TFIV20의 기술 정보 | |||
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제조업체 부품 번호 | S29GL01GS11TFIV20 | 범주 | 집적회로 (ic) |
제조사 | Cypress Semiconductor | 기술 | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP |
패키지 / 케이스 | 56-TSOP | 가능 수량 | 5200 pcs |
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 | 60ns | 전압 - 공급 | 1.65V ~ 3.6V |
과학 기술 | FLASH - NOR | 제조업체 장치 패키지 | 56-TSOP |
연속 | GL-S | 패키지 / 케이스 | 56-TFSOP (0.724', 18.40mm Width) |
패키지 | Tray | 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
실장 형 | Surface Mount | 메모리 유형 | Non-Volatile |
메모리 크기 | 1Gbit | 메모리 조직 | 64M x 16 |
메모리 인터페이스 | Parallel | 메모리 형식 | FLASH |
기본 제품 번호 | S29GL01 | 액세스 시간 | 110 ns |
다운로드 | S29GL01GS11TFIV20 PDF - EN.pdf |
S29GL01GS11TFIV20
고밀도, 표면 부착형 FLASH 메모리
인피니언 테크놀로지스
비휘발성 FLASH 메모리
병렬 메모리 인터페이스
높은 신뢰성과 내구성
쓰기 사이클 시간 60ns
접근 시간 110ns
메모리 크기: 1Gbit
구성: 64M x 16
FLASH 기술: NOR
크기: 56-TFSOP (0.724인치, 18.40mm 너비)
패키징: 트레이
장착 유형: 표면 장착
-40°C에서 85°C까지 작동
환경 조건에 대한 강한 내구성
복잡한 응용 프로그램을 위한 대용량 메모리
고속 작업을 위한 빠른 쓰기 사이클 및 접근 시간
FLASH 메모리 분야에서 경쟁력 있는 접근 속도 및 밀도
광범위한 마이크로프로세서 및 마이크로컨트롤러와 호환
메모리 제품 산업 표준 준수
산업 응용을 위한 장기 가용성
임베디드 시스템, 자동차 전자기기, 산업 제어 시스템