DMG8601UFG-7
제품 모델 DMG8601UFG-7
제조사 Diodes Incorporated
기술 MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
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DMG8601UFG-7의 기술 정보
제조업체 부품 번호 DMG8601UFG-7 범주  
제조사 Diodes Incorporated 기술 MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
패키지 / 케이스 U-DFN3030-8 가능 수량 10549 pcs
아이디 @ VGS (일) (최대) 1.05V @ 250µA 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 U-DFN3030-8 연속 -
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 23mOhm @ 6.5A, 4.5V 전력 - 최대 920mW
패키지 / 케이스 8-PowerUDFN 패키지 Tape & Reel (TR)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 실장 형 Surface Mount
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 143pF @ 10V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 8.8nC @ 4.5V
FET 특징 Logic Level Gate 소스 전압에 드레인 (Vdss) 20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.1A 구성 2 N-Channel (Dual) Common Drain
기본 제품 번호 DMG8601  
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제품 모델

DMG8601UFG-7

소개

고성능 이중 N-채널 MOSFET 배열

브랜드 및 제조사

다이오드 주식회사

특징 및 기능

로직 레벨 게이트, 2 N-채널(무선) 공통 드레인 구성, 표면 장착 가능

제품 성능

-55°C에서 150°C까지 효과적으로 작동, 최대 20V의 드레인-소스 전압 처리, 25°C에서 최대 6.1A의 지속적 드레인 전류 용량, 6.5A 및 4.5V에서 23 mOhm의 낮은 Rds(on)

기술 사양

최대 전력: 920mW, 드레인-소스 전압(Vdss): 20V, 지속적 드레인 전류(Id) @ 25°C: 6.1A, Rds On(최대) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs(th) (최대) @ Id: 1.05V @ 250μA, 게이트 충전량(Qg)(최대) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V, 입력 정전 용량(Ciss) (최대) @ Vds: 143pF @ 10V

크기, 형태 및 포장

포장 / 케이스: 8-PowerUDFN, 공급업체 장치 포장: U-DFN3030-8, 포장 방식: 테이프 및 릴(TR)

품질 및 신뢰성

극한의 조건에서도 내구성 및 안정성을 위해 설계됨

제품 장점

효율적인 전력 처리 및 열 관리, 낮은 게이트 충전량과 입력 정전 용량이 성능을 향상시킴

제품 경쟁력

저전압 고효율 응용 분야에서 경쟁력 있음, 작은 패키지 풋프린트로 인해 컴팩트한 설계에 이상적임

호환성

로직 레벨 게이트 드라이브 회로와 호환됨

표준 인증 및 준수

품질 및 신뢰성에 대한 산업 표준 충족

수명 및 지속 가능성

엄격한 조건에서 긴 작동 수명을 위해 설계됨

실제 적용 분야

전력 관리, 배터리 보호, 하중 스위치, 전원 공급 스위치

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