MB85RC512TPNF-G-JNERE1 | |
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제품 모델 | MB85RC512TPNF-G-JNERE1 |
제조사 | Kaga FEI America, Inc. |
기술 | IC FRAM 512KBIT I2C 3.4MHZ 8SOP |
가능 수량 | 2578 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
ECAD 모델 | |
데이터 시트 | 1.MB85RC512TPNF-G-JNERE1.pdf2.MB85RC512TPNF-G-JNERE1.pdf3.MB85RC512TPNF-G-JNERE1.pdf4.MB85RC512TPNF-G-JNERE1.pdf5.MB85RC512TPNF-G-JNERE1.pdf |
MB85RC512TPNF-G-JNERE1 Price |
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MB85RC512TPNF-G-JNERE1의 기술 정보 | |||
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제조업체 부품 번호 | MB85RC512TPNF-G-JNERE1 | 범주 | 집적회로 (ic) |
제조사 | Fujitsu Electronics America, Inc. | 기술 | IC FRAM 512KBIT I2C 3.4MHZ 8SOP |
패키지 / 케이스 | 8-SOP | 가능 수량 | 2578 pcs |
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 | - | 전압 - 공급 | 1.8V ~ 3.6V |
과학 기술 | FRAM (Ferroelectric RAM) | 제조업체 장치 패키지 | 8-SOP |
연속 | - | 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
패키지 | Tape & Reel (TR) | 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
실장 형 | Surface Mount | 메모리 유형 | Non-Volatile |
메모리 크기 | 512Kbit | 메모리 조직 | 64K x 8 |
메모리 인터페이스 | I²C | 메모리 형식 | FRAM |
클럭 주파수 | 3.4 MHz | 기본 제품 번호 | MB85RC512 |
액세스 시간 | 130 ns | ||
다운로드 | MB85RC512TPNF-G-JNERE1 PDF - EN.pdf |
MB85RC512TPNF-G-JNERE1
강유전체 랜덤 접근 메모리(FRAM)
후지츠 일렉트로닉스 아메리카(Fujitsu Electronics America, Inc.)
비휘발성 메모리 기술, 고속 데이터 읽기 및 쓰기, 저전력 소비, 쓰기 접근 지연 없음
10^12 회 읽기/쓰기 사이클의 내구성, +85°C에서의 10년 데이터 보존, 빠른 직렬 2선 인터페이스 I2C
메모리 크기: 512Kb (64K x 8), 메모리 유형: FRAM, 속도: 3.4MHz, 메모리 형식: FRAM, 전압 - 공급: 1.8 V ~ 3.6 V, 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
패키지/케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm 폭), 제조업체 패키징: 8-SOP, 포장: 테이프 및 릴(TR), 공급업체 장치 패키지: 8-SOP
무연 / RoHS 준수, 산업 응용을 위한 높은 신뢰성
즉각적인 비휘발성 저장, 데이터를 유지하기 위해 배터리 불필요
확장된 배터리 수명을 위한 저전력, 강력한 작동 온도 범위, 잦은 접근 응용을 위한 높은 읽기/쓰기 내구성
IC, 대부분의 마이크로컨트롤러와의 간단한 통합을 위한 2선 직렬 인터페이스
RoHS 규정 완전 준수
고온에서 최대 10년 데이터 보존, 배터리 필요 없는 친환경 제품
산업 자동화, 계측 및 측정 시스템, 의료 기기, 자동차 전자 장치, 데이터 로깅 시스템