71V25761YS200PFG | |
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제품 모델 | 71V25761YS200PFG |
제조사 | IDT, Integrated Device Technology Inc |
기술 | IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP |
가능 수량 | 2692 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
ECAD 모델 | |
데이터 시트 | 1.71V25761YS200PFG.pdf2.71V25761YS200PFG.pdf |
71V25761YS200PFG Price |
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71V25761YS200PFG의 기술 정보 | |||
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제조업체 부품 번호 | 71V25761YS200PFG | 범주 | 집적회로 (ic) |
제조사 | IDT (Renesas Electronics Corporation) | 기술 | IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP |
패키지 / 케이스 | 100-TQFP (14x20) | 가능 수량 | 2692 pcs |
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 | - | 전압 - 공급 | 3.135V ~ 3.465V |
과학 기술 | SRAM - Synchronous, SDR | 제조업체 장치 패키지 | 100-TQFP (14x20) |
연속 | - | 패키지 / 케이스 | 100-LQFP |
패키지 | Tray | 작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) |
실장 형 | Surface Mount | 메모리 유형 | Volatile |
메모리 크기 | 4.5Mbit | 메모리 조직 | 128K x 36 |
메모리 인터페이스 | Parallel | 메모리 형식 | SRAM |
클럭 주파수 | 200 MHz | 기본 제품 번호 | 71V25761 |
액세스 시간 | 3.1 ns | ||
다운로드 | 71V25761YS200PFG PDF - EN.pdf |
71V25761YS200PFG
200 MHz 클럭 주파수와 3.1 ns 접근 시간을 가진 고성능 저전력 동기 SRAM입니다. 빠르고 신뢰할 수 있는 메모리 저장소가 필요한 응용 프로그램에 이상적입니다.
100-LQFP 패키지, 14x20 mm 크기
쉬운 통합을 위한 표면 실장 디자인
135V에서 3.465V 전압 범위에서 작동
0°C에서 70°C의 넓은 작동 온도 범위
200 MHz 클럭 속도와 번개처럼 빠른 3.1 ns 접근 시간으로 탁월한 성능
에너지 효율적인 작동을 위한 저전력 소비
다양한 응용 프로그램에서 신뢰할 수 있는 사용을 위한 견고한 설계
5 Mbit 저장 용량
128K x 36 메모리 구성
병렬 메모리 인터페이스
정밀한 타이밍과 제어를 위한 동기 SRAM 기술
이 제품은 고속의 신뢰할 수 있는 메모리 저장소가 필요한 다양한 전자 장치 및 시스템과 호환됩니다.
실시간 데이터 처리를 위한 비교할 수 없는 빠른 접근 시간
연장된 배터리 수명을 위한 에너지 효율적인 작동
다양한 환경에서 사용 가능한 넓은 온도 범위
이 제품은 현재 단종되었지만, 동등하거나 대체 모델이 있을 수 있습니다. 최신 제품 정보 및 가용성을 위해 웹사이트를 통해 저희 영업팀에 문의하시기 바랍니다.
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71V25761YS200PFG 구성 요소 | 인벤토리 | 71V25761YS200PFG Digikey |
공급 업체 71V25761YS200PFG | 71V25761YS200PFG 온라인 주문 | 문의 71V25761YS200PFG |
71V25761YS200PFG 이미지 | 71V25761YS200PFG 그림 | 71V25761YS200PFG PDF |
71V25761YS200PFG 데이터 시트 | 71V25761YS200PFG 데이터 시트 다운로드 | 제조업체 IDT (Renesas Electronics Corporation) |