BSC077N12NS3GATMA1 | |
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제품 모델 | BSC077N12NS3GATMA1 |
제조사 | Infineon Technologies |
기술 | MOSFET N-CH 120V 13.4/98A 8TDSON |
가능 수량 | 2065 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
ECAD 모델 | |
데이터 시트 | 1.BSC077N12NS3GATMA1.pdf2.BSC077N12NS3GATMA1.pdf3.BSC077N12NS3GATMA1.pdf4.BSC077N12NS3GATMA1.pdf5.BSC077N12NS3GATMA1.pdf |
BSC077N12NS3GATMA1 Price |
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BSC077N12NS3GATMA1의 기술 정보 | |||
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제조업체 부품 번호 | BSC077N12NS3GATMA1 | 범주 | |
제조사 | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | 기술 | MOSFET N-CH 120V 13.4/98A 8TDSON |
패키지 / 케이스 | PG-TDSON-8-1 | 가능 수량 | 2065 pcs |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 110µA | Vgs (최대) | ±20V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | PG-TDSON-8-1 |
연속 | OptiMOS™ | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 7.7mOhm @ 50A, 10V |
전력 소비 (최대) | 139W (Tc) | 패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN |
패키지 | Tape & Reel (TR) | 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 5700 pF @ 60 V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 88 nC @ 10 V | FET 유형 | N-Channel |
FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 120 V | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 13.4A (Ta), 98A (Tc) |
기본 제품 번호 | BSC077 | ||
다운로드 | BSC077N12NS3GATMA1 PDF - EN.pdf |
BSC077N12NS3 GATMA1
고효율 N채널 전력 MOSFET
인터내셔널 레크티파이어 (인피니온 테크놀로지스)
우수한 전력 밀도와 효율성을 위한 OptiMOS 시리즈
높은 스위칭 성능을 위한 낮은 온 저항
빠른 스위칭 및 상승 시간
우수한 열 성능
다양한 작동 조건을 견딜 수 있는 견고함
높은 지속적인 드레인 전류 능력
전체 효율 개선을 위한 낮은 전력 소모
MOSFET 기술
120V 드레인-소스 전압 (Vdss)
4A에서 98A까지 지속적인 드레인 전류 (Id)
50A, 10V에서 7.7 mOhm Rds On
4V 게이트 역치 전압 (Vgs(th))
PG-TDSON-8 패키지
자동 조립 라인을 위한 테이프 & 릴 (TR)
표면 장착 방식
환경 지속 가능성을 위한 무연 / RoHS 준수
넓은 온도 범위 (-55°C ~ 150°C)에서 높은 신뢰성
콤팩트한 디자인을 위한 향상된 전력 밀도
전력 변환 응용에서의 높은 효율성
휴대용 응용에서 증가된 배터리 수명
열 관리 복잡성 감소
전력 효율성과 크기에서의 경쟁력
에너지 손실을 줄이는 우수한 스위칭 속도
고성능 응용을 위한 최적화
표면 장착 기술 장비와의 호환성
고밀도 PCB 레이아웃에 적합
제한 물질에 대한 RoHS 기준 준수
지속적인 성능으로 긴 제품 수명
생태발자국 감소를 위한 에너지 효율성
전원 공급 장치
DC-DC 컨버터
모터 드라이브
배터리 관리 시스템
컴퓨팅 및 서버 응용
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