| BSS159NH6327XTSA1 | |
|---|---|
| 제품 모델 | BSS159NH6327XTSA1 |
| 제조사 | Infineon Technologies |
| 기술 | MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3 |
| 가능 수량 | 2960 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
| ECAD 모델 | |
| 데이터 시트 | 1.BSS159NH6327XTSA1.pdf2.BSS159NH6327XTSA1.pdf3.BSS159NH6327XTSA1.pdf4.BSS159NH6327XTSA1.pdf |
| BSS159NH6327XTSA1 Price |
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| BSS159NH6327XTSA1의 기술 정보 | |||
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| 제조업체 부품 번호 | BSS159NH6327XTSA1 | 범주 | |
| 제조사 | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | 기술 | MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3 |
| 패키지 / 케이스 | PG-SOT23 | 가능 수량 | 2960 pcs |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.4V @ 26µA | Vgs (최대) | ±20V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | PG-SOT23 |
| 연속 | SIPMOS® | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 3.5Ohm @ 160mA, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 360mW (Ta) | 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 44 pF @ 25 V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 2.9 nC @ 5 V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | Depletion Mode | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 0V, 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60 V | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 230mA (Ta) |
| 다운로드 | BSS159NH6327XTSA1 PDF - EN.pdf | ||
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| BSS159NH6327XTSA1 증권 | BSS159NH6327XTSA1 가격 | BSS159NH6327XTSA1 전자 | |||
| BSS159NH6327XTSA1 구성 요소 | 인벤토리 | BSS159NH6327XTSA1 Digikey | |||
| 공급 업체 BSS159NH6327XTSA1 | BSS159NH6327XTSA1 온라인 주문 | 문의 BSS159NH6327XTSA1 | |||
| BSS159NH6327XTSA1 이미지 | BSS159NH6327XTSA1 그림 | BSS159NH6327XTSA1 PDF | |||
| BSS159NH6327XTSA1 데이터 시트 | BSS159NH6327XTSA1 데이터 시트 다운로드 | 제조업체 Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | |||
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