IPB048N15N5ATMA1 | |
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제품 모델 | IPB048N15N5ATMA1 |
제조사 | Infineon Technologies |
기술 | MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3 |
가능 수량 | 3054 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
ECAD 모델 | |
데이터 시트 | 1.IPB048N15N5ATMA1.pdf2.IPB048N15N5ATMA1.pdf3.IPB048N15N5ATMA1.pdf |
IPB048N15N5ATMA1 Price |
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IPB048N15N5ATMA1의 기술 정보 | |||
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제조업체 부품 번호 | IPB048N15N5ATMA1 | 범주 | |
제조사 | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | 기술 | MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3 |
패키지 / 케이스 | PG-TO263-3-2 | 가능 수량 | 3054 pcs |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 4.6V @ 264µA | Vgs (최대) | ±20V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 |
연속 | OptiMOS™ | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 4.8mOhm @ 60A, 10V |
전력 소비 (최대) | 300W (Tc) | 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
패키지 | Tape & Reel (TR) | 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 7800 pF @ 75 V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 100 nC @ 10 V | FET 유형 | N-Channel |
FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 8V, 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 150 V | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 120A (Tc) |
기본 제품 번호 | IPB048 | ||
다운로드 | IPB048N15N5ATMA1 PDF - EN.pdf |
IPB048N15N5ATMA1
고효율 파워 컨버전을 위한 N-채널 MOSFET
국제 접지 (Infineon Technologies)
저 온-저항, 고 스위칭 속도, 저 게이트 충전, 고성능 파워 컨버전 최적화
우수한 열 성능, 고착제동에 대한 내성, 고부하 조건에서 안정적인 작동
형식: N-채널, 드레인-투-소스 전압 (Vdss): 150V, 연속 드레인 전류 (Id): 100A, 게이트-투-소스 전압 (Vgs): ±20V, 총 게이트 충전 (Qg): 135nC
정사각형 패키지, 금속 없음, 자동 삽입을 위한 표준 테이프 및 리엘로 공급
극단적인 조건에서 높은 신뢰성, 장기 안정성 테스트, 엄격한 산업 품질 기준 준수
고 효율성으로 에너지 소비 감소, 운전 및 제어가 쉬움
경쟁력 있는 가격 성능 비율, 주요 반도체 제조업체의 최신 기술
표준 스위칭 응용 프로그램 및 드라이버 회로와 호환
금속 없음, RoHS 준수
권장 조건 하에서 긴 운영 수명, 금속 없는 구성 요소로 환경 친화적
파워 신디케이터 유닛, DC-DC 컨버터, 모터 드라이브, 인버터, 자동차 응용 프로그램
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공급 업체 IPB048N15N5ATMA1 | IPB048N15N5ATMA1 온라인 주문 | 문의 IPB048N15N5ATMA1 | |||
IPB048N15N5ATMA1 이미지 | IPB048N15N5ATMA1 그림 | IPB048N15N5ATMA1 PDF | |||
IPB048N15N5ATMA1 데이터 시트 | IPB048N15N5ATMA1 데이터 시트 다운로드 | 제조업체 Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
IPB048N15N5ATMA1 관련 부품 | |||||
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영상 | 제품 모델 | 기술 | 제조사 | 견적 | |
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