IPB048N15N5ATMA1
제품 모델 IPB048N15N5ATMA1
제조사 Infineon Technologies
기술 MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
가능 수량 3054 pcs new original in stock.
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IPB048N15N5ATMA1의 기술 정보
제조업체 부품 번호 IPB048N15N5ATMA1 범주  
제조사 Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) 기술 MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
패키지 / 케이스 PG-TO263-3-2 가능 수량 3054 pcs
아이디 @ VGS (일) (최대) 4.6V @ 264µA Vgs (최대) ±20V
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide) 제조업체 장치 패키지 PG-TO263-3-2
연속 OptiMOS™ 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 4.8mOhm @ 60A, 10V
전력 소비 (최대) 300W (Tc) 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
패키지 Tape & Reel (TR) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7800 pF @ 75 V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 100 nC @ 10 V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 8V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 150 V 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 120A (Tc)
기본 제품 번호 IPB048  
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제품 모델

IPB048N15N5ATMA1

소개

고효율 파워 컨버전을 위한 N-채널 MOSFET

브랜드 및 제조사

국제 접지 (Infineon Technologies)

특징 및 기능

저 온-저항, 고 스위칭 속도, 저 게이트 충전, 고성능 파워 컨버전 최적화

제품 성능

우수한 열 성능, 고착제동에 대한 내성, 고부하 조건에서 안정적인 작동

기술 사양

형식: N-채널, 드레인-투-소스 전압 (Vdss): 150V, 연속 드레인 전류 (Id): 100A, 게이트-투-소스 전압 (Vgs): ±20V, 총 게이트 충전 (Qg): 135nC

크기, 형태 및 포장

정사각형 패키지, 금속 없음, 자동 삽입을 위한 표준 테이프 및 리엘로 공급

품질 및 신뢰성

극단적인 조건에서 높은 신뢰성, 장기 안정성 테스트, 엄격한 산업 품질 기준 준수

제품 장점

고 효율성으로 에너지 소비 감소, 운전 및 제어가 쉬움

제품 경쟁력

경쟁력 있는 가격 성능 비율, 주요 반도체 제조업체의 최신 기술

호환성

표준 스위칭 응용 프로그램 및 드라이버 회로와 호환

표준 인증 및 준수

금속 없음, RoHS 준수

수명 및 지속 가능성

권장 조건 하에서 긴 운영 수명, 금속 없는 구성 요소로 환경 친화적

실제 적용 분야

파워 신디케이터 유닛, DC-DC 컨버터, 모터 드라이브, 인버터, 자동차 응용 프로그램

IPB048N15N5ATMA1은 신품이며 재고 있음, Ariat-Tech 전자 부품 재고, 데이터 시트, 재고 및 가격은 Ariat-Tech .com Online에서 확인하십시오. IPB048N15N5ATMA1 Infineon Technologies는 Ariat Technology Limitd에서 보증하고 확신을 가지고 주문하십시오. DHL / FedEx / UPS를 통해 배송하십시오. 송금 또는 PayPal로 지불하는 것은 괜찮습니다.
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