| IPB60R600C6ATMA1 | |
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| 제품 모델 | IPB60R600C6ATMA1 |
| 제조사 | Infineon Technologies |
| 기술 | MOSFET N-CH 600V 7.3A D2PAK |
| 가능 수량 | 2618 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
| ECAD 모델 | |
| 데이터 시트 | 1.IPB60R600C6ATMA1.pdf2.IPB60R600C6ATMA1.pdf3.IPB60R600C6ATMA1.pdf |
| IPB60R600C6ATMA1 Price |
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| IPB60R600C6ATMA1의 기술 정보 | |||
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| 제조업체 부품 번호 | IPB60R600C6ATMA1 | 범주 | |
| 제조사 | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | 기술 | MOSFET N-CH 600V 7.3A D2PAK |
| 패키지 / 케이스 | PG-TO263-3 | 가능 수량 | 2618 pcs |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 3.5V @ 200µA | Vgs (최대) | ±20V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | PG-TO263-3 |
| 연속 | CoolMOS™ C6 | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 600mOhm @ 2.4A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 63W (Tc) | 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 440 pF @ 100 V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 20.5 nC @ 10 V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 600 V | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 7.3A (Tc) |
| 기본 제품 번호 | IPB60R | ||
| 다운로드 | IPB60R600C6ATMA1 PDF - EN.pdf | ||
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| IPB60R600C6ATMA1 구성 요소 | 인벤토리 | IPB60R600C6ATMA1 Digikey |
| 공급 업체 IPB60R600C6ATMA1 | IPB60R600C6ATMA1 온라인 주문 | 문의 IPB60R600C6ATMA1 |
| IPB60R600C6ATMA1 이미지 | IPB60R600C6ATMA1 그림 | IPB60R600C6ATMA1 PDF |
| IPB60R600C6ATMA1 데이터 시트 | IPB60R600C6ATMA1 데이터 시트 다운로드 | 제조업체 Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
