| IPB80N06S2L07ATMA3 | |
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| 제품 모델 | IPB80N06S2L07ATMA3 |
| 제조사 | Infineon Technologies |
| 기술 | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 |
| 가능 수량 | 2565 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
| ECAD 모델 | |
| 데이터 시트 | 1.IPB80N06S2L07ATMA3.pdf2.IPB80N06S2L07ATMA3.pdf3.IPB80N06S2L07ATMA3.pdf |
| IPB80N06S2L07ATMA3 Price |
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| IPB80N06S2L07ATMA3의 기술 정보 | |||
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| 제조업체 부품 번호 | IPB80N06S2L07ATMA3 | 범주 | |
| 제조사 | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | 기술 | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 |
| 패키지 / 케이스 | PG-TO263-3-2 | 가능 수량 | 2565 pcs |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2V @ 150µA | Vgs (최대) | ±20V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 |
| 연속 | OptiMOS™ | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 6.7mOhm @ 60A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 210W (Tc) | 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3160 pF @ 25 V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 130 nC @ 10 V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 55 V | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 80A (Tc) |
| 기본 제품 번호 | IPB80N | ||
| 다운로드 | IPB80N06S2L07ATMA3 PDF - EN.pdf | ||
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| IPB80N06S2L07ATMA3 구성 요소 | 인벤토리 | IPB80N06S2L07ATMA3 Digikey |
| 공급 업체 IPB80N06S2L07ATMA3 | IPB80N06S2L07ATMA3 온라인 주문 | 문의 IPB80N06S2L07ATMA3 |
| IPB80N06S2L07ATMA3 이미지 | IPB80N06S2L07ATMA3 그림 | IPB80N06S2L07ATMA3 PDF |
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