IPB90R340C3ATMA1 | |
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제품 모델 | IPB90R340C3ATMA1 |
제조사 | Infineon Technologies |
기술 | MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK |
가능 수량 | 1650 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
ECAD 모델 | |
데이터 시트 | 1.IPB90R340C3ATMA1.pdf2.IPB90R340C3ATMA1.pdf3.IPB90R340C3ATMA1.pdf4.IPB90R340C3ATMA1.pdf |
IPB90R340C3ATMA1 Price |
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IPB90R340C3ATMA1의 기술 정보 | |||
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제조업체 부품 번호 | IPB90R340C3ATMA1 | 범주 | |
제조사 | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | 기술 | MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK |
패키지 / 케이스 | PG-TO263-3 | 가능 수량 | 1650 pcs |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 3.5V @ 1mA | Vgs (최대) | ±20V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | PG-TO263-3 |
연속 | CoolMOS™ | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 340mOhm @ 9.2A, 10V |
전력 소비 (최대) | 208W (Tc) | 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
패키지 | Tape & Reel (TR) | 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2400 pF @ 100 V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 94 nC @ 10 V | FET 유형 | N-Channel |
FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 900 V | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 15A (Tc) |
기본 제품 번호 | IPB90R | ||
다운로드 | IPB90R340C3ATMA1 PDF - EN.pdf |
IPB90R340C3ATMA1
고전압 전원 MOSFET
인터내셔널 렉티파이어 (인피니온 테크놀로지스)
CoolMOS 기술, 에너지 효율적, 낮은 온 저항, 빠른 스위칭, 견고한 바디 다이오드
208W의 높은 전력 소산, 고온 환경에서 작동, N-채널 강화 모드, 높은 전류 용량
MOSFET (금속 산화물 기술), 드레인-소스 전압: 900V, 지속적인 드레인 전류: 15A, Rds On: 340mOhm, 게이트 충전: 11nC, 입력 정전 용량: 2400pF
표면 장착 TO-263-3, D2PAK, 자동 조립을 위한 테이프 및 릴 포장
높은 열 성능, 열 스트레스 하에서 안정적인 작동
전력 변환의 효율성을 위해 설계, 고전압 응용 분야에 적합
고전압 세그먼트에서 경쟁력 있는 전력 MOSFET
표준 MOSFET 드라이버와 호환
표면 장착 장치에 대한 산업 기준 준수
장기 신뢰성 및 성능을 위해 설계됨
전원 공급 장치, 모터 제어, 인버터, 스위칭 컨버터
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IPB90R340C3ATMA1 구성 요소 | 인벤토리 | IPB90R340C3ATMA1 Digikey |
공급 업체 IPB90R340C3ATMA1 | IPB90R340C3ATMA1 온라인 주문 | 문의 IPB90R340C3ATMA1 |
IPB90R340C3ATMA1 이미지 | IPB90R340C3ATMA1 그림 | IPB90R340C3ATMA1 PDF |
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