IPB90R340C3ATMA1
제품 모델 IPB90R340C3ATMA1
제조사 Infineon Technologies
기술 MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
가능 수량 1650 pcs new original in stock.
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IPB90R340C3ATMA1의 기술 정보
제조업체 부품 번호 IPB90R340C3ATMA1 범주  
제조사 Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) 기술 MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
패키지 / 케이스 PG-TO263-3 가능 수량 1650 pcs
아이디 @ VGS (일) (최대) 3.5V @ 1mA Vgs (최대) ±20V
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide) 제조업체 장치 패키지 PG-TO263-3
연속 CoolMOS™ 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 340mOhm @ 9.2A, 10V
전력 소비 (최대) 208W (Tc) 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
패키지 Tape & Reel (TR) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2400 pF @ 100 V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 94 nC @ 10 V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 900 V 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 15A (Tc)
기본 제품 번호 IPB90R  
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제품 모델

IPB90R340C3ATMA1

소개

고전압 전원 MOSFET

브랜드 및 제조사

인터내셔널 렉티파이어 (인피니온 테크놀로지스)

특징 및 기능

CoolMOS 기술, 에너지 효율적, 낮은 온 저항, 빠른 스위칭, 견고한 바디 다이오드

제품 성능

208W의 높은 전력 소산, 고온 환경에서 작동, N-채널 강화 모드, 높은 전류 용량

기술 사양

MOSFET (금속 산화물 기술), 드레인-소스 전압: 900V, 지속적인 드레인 전류: 15A, Rds On: 340mOhm, 게이트 충전: 11nC, 입력 정전 용량: 2400pF

크기, 형태 및 포장

표면 장착 TO-263-3, D2PAK, 자동 조립을 위한 테이프 및 릴 포장

품질 및 신뢰성

높은 열 성능, 열 스트레스 하에서 안정적인 작동

제품 장점

전력 변환의 효율성을 위해 설계, 고전압 응용 분야에 적합

제품 경쟁력

고전압 세그먼트에서 경쟁력 있는 전력 MOSFET

호환성

표준 MOSFET 드라이버와 호환

표준 인증 및 준수

표면 장착 장치에 대한 산업 기준 준수

수명 및 지속 가능성

장기 신뢰성 및 성능을 위해 설계됨

실제 적용 분야

전원 공급 장치, 모터 제어, 인버터, 스위칭 컨버터

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