IPD65R420CFDBTMA1의 기술 정보
제조업체 부품 번호
IPD65R420CFDBTMA1
범주
제조사
Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
기술
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3
패키지 / 케이스
PG-TO252-3
가능 수량
2631 pcs
아이디 @ VGS (일) (최대)
4.5V @ 340µA
Vgs (최대)
±20V
과학 기술
MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지
PG-TO252-3
연속
CoolMOS™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
420mOhm @ 3.4A, 10V
전력 소비 (최대)
83.3W (Tc)
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
패키지
Tape & Reel (TR)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
870 pF @ 100 V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
32 nC @ 10 V
FET 유형
N-Channel
FET 특징
-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)
650 V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
8.7A (Tc)
기본 제품 번호
IPD65R
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