IRFR3607TRPBF | |
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제품 모델 | IRFR3607TRPBF |
제조사 | Infineon Technologies |
기술 | MOSFET N-CH 75V 56A DPAK |
가능 수량 | 8229 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
ECAD 모델 | |
데이터 시트 | 1.IRFR3607TRPBF.pdf2.IRFR3607TRPBF.pdf3.IRFR3607TRPBF.pdf4.IRFR3607TRPBF.pdf5.IRFR3607TRPBF.pdf6.IRFR3607TRPBF.pdf |
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IRFR3607TRPBF Price |
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IRFR3607TRPBF의 기술 정보 | |||
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제조업체 부품 번호 | IRFR3607TRPBF | 범주 | |
제조사 | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | 기술 | MOSFET N-CH 75V 56A DPAK |
패키지 / 케이스 | D-PAK | 가능 수량 | 8229 pcs |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 100µA | Vgs (최대) | ±20V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | D-Pak |
연속 | HEXFET® | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 9mOhm @ 46A, 10V |
전력 소비 (최대) | 140W (Tc) | 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
패키지 | Tape & Reel (TR) | 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3070 pF @ 50 V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 84 nC @ 10 V | FET 유형 | N-Channel |
FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 75 V | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 56A (Tc) |
기본 제품 번호 | IRFR3607 | IRFR3607TRPBF 세부 정보 PDF [English] | IRFR3607TRPBF PDF - EN.pdf |
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IRFR3607TRPBF
고성능 N-Channel MOSFET
국제긁히전기회사 (인피니온 기술)
HEXFET 파워 MOSFET 기술, 초저 온-저항, 강화된 열 성능, 동적 dv/dt 등급
낮은 게이트 전하로 높은 효율성, 빠른 스위칭 속도, 강력한 열 관리 능력
금속 산화물 반도체 게이트 FET 기술, 75V 드레인-소스 전압, 56A 연속 드레인 전류, 140W 최대 전력 손실
TO-252-3, DPak 표면 부착 패키지, D-Pak 공급업체 장치 패키지, 자동 조립용 테이프 & 리얼로 제공
환경 고려를 위한 납 없는 제품, RoHS 준수, 산업용 및 상업용 응용에 맞춘 HEXFET 신뢰성
높은 전류 처리 능력, 고밀도 파워 설계에 적합, 우수한 전력 효율성
전력에 민감한 응용에서 유리, 고성능 전력 변환에서 경쟁력 있음
표면 부착 호환, 표준 구동 전압과 호환
RoHS 준수, 표준 반도체 산업 인증 및 규범 준수
장기 운영 수명, 환경 친화적인 납 없는 구조로 지속 가능
파워 공급 장치, DC/AC 컨버터, 모터 드라이브, 스위치 모드 파워 공급 장치(SMPS), 자동차 응용
IRFR3607TRPBF 증권 | IRFR3607TRPBF 가격 | IRFR3607TRPBF 전자 | |||
IRFR3607TRPBF 구성 요소 | 인벤토리 | IRFR3607TRPBF Digikey | |||
공급 업체 IRFR3607TRPBF | IRFR3607TRPBF 온라인 주문 | 문의 IRFR3607TRPBF | |||
IRFR3607TRPBF 이미지 | IRFR3607TRPBF 그림 | IRFR3607TRPBF PDF | |||
IRFR3607TRPBF 데이터 시트 | IRFR3607TRPBF 데이터 시트 다운로드 | 제조업체 Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
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