IRFR3607TRPBF
제품 모델 IRFR3607TRPBF
제조사 Infineon Technologies
기술 MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
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IRFR3607TRPBF의 기술 정보
제조업체 부품 번호 IRFR3607TRPBF 범주  
제조사 Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) 기술 MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
패키지 / 케이스 D-PAK 가능 수량 8229 pcs
아이디 @ VGS (일) (최대) 4V @ 100µA Vgs (최대) ±20V
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide) 제조업체 장치 패키지 D-Pak
연속 HEXFET® 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 9mOhm @ 46A, 10V
전력 소비 (최대) 140W (Tc) 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
패키지 Tape & Reel (TR) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3070 pF @ 50 V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 84 nC @ 10 V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 75 V 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 56A (Tc)
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제품 모델

IRFR3607TRPBF

소개

고성능 N-Channel MOSFET

브랜드 및 제조사

국제긁히전기회사 (인피니온 기술)

특징 및 기능

HEXFET 파워 MOSFET 기술, 초저 온-저항, 강화된 열 성능, 동적 dv/dt 등급

제품 성능

낮은 게이트 전하로 높은 효율성, 빠른 스위칭 속도, 강력한 열 관리 능력

기술 사양

금속 산화물 반도체 게이트 FET 기술, 75V 드레인-소스 전압, 56A 연속 드레인 전류, 140W 최대 전력 손실

크기, 형태 및 포장

TO-252-3, DPak 표면 부착 패키지, D-Pak 공급업체 장치 패키지, 자동 조립용 테이프 & 리얼로 제공

품질 및 신뢰성

환경 고려를 위한 납 없는 제품, RoHS 준수, 산업용 및 상업용 응용에 맞춘 HEXFET 신뢰성

제품 장점

높은 전류 처리 능력, 고밀도 파워 설계에 적합, 우수한 전력 효율성

제품 경쟁력

전력에 민감한 응용에서 유리, 고성능 전력 변환에서 경쟁력 있음

호환성

표면 부착 호환, 표준 구동 전압과 호환

표준 인증 및 준수

RoHS 준수, 표준 반도체 산업 인증 및 규범 준수

수명 및 지속 가능성

장기 운영 수명, 환경 친화적인 납 없는 구조로 지속 가능

실제 적용 분야

파워 공급 장치, DC/AC 컨버터, 모터 드라이브, 스위치 모드 파워 공급 장치(SMPS), 자동차 응용

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