| IRLR2908PBF | |
|---|---|
| 제품 모델 | IRLR2908PBF |
| 제조사 | International Rectifier |
| 기술 | HEXFET POWER MOSFET |
| 가능 수량 | 2831 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
| ECAD 모델 | |
| 데이터 시트 | |
| 다운로드 | IRLR2908PBF 세부 정보 PDF |
| IRLR2908PBF Price |
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| IRLR2908PBF의 기술 정보 | |||
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| 제조업체 부품 번호 | IRLR2908PBF | 범주 | |
| 제조사 | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | 기술 | HEXFET POWER MOSFET |
| 패키지 / 케이스 | D-PAK | 가능 수량 | 2831 pcs |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 250µA | Vgs (최대) | ±16V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | D-Pak |
| 연속 | HEXFET® | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 28mOhm @ 23A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 120W (Tc) | 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 패키지 | Bulk | 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1890 pF @ 25 V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 33 nC @ 4.5 V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 80 V | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 30A (Tc) |
| IRLR2908PBF 세부 정보 PDF [English] | IRLR2908PBF PDF - EN.pdf | ||
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제품 모델
IRLR2908PBF
소개
고효율 전력 관리를 위한 N채널 MOSFET
브랜드 및 제조사
인터내셔널 렉티파이어 (현재 인피니온 테크놀로지스의 일부)
특징 및 기능
N채널 MOSFET
높은 효율을 위한 낮은 Rds(on)
높은 연속 드레인 전류 용량
제품 성능
최대 30A의 연속 드레인 전류를 처리할 수 있음
드레인-소스 전압은 최대 80V 지원
-55°C에서 175°C까지 효과적으로 작동
기술 사양
FET 유형: N채널
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
연속 드레인 전류 (Id) @ 25°C: 30A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28 mΩ @ 23A, 10V
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 4.5V
크기, 형태 및 포장
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPAK
포장: 튜브
품질 및 신뢰성
긴 수명과 신뢰성을 위한 높은 산업 기준으로 제작됨
제품 장점
낮은 온저항으로 높은 효율성
우수한 열 성능
제품 경쟁력
전력 관리 응용 분야에서 경쟁력을 갖춤
호환성
표준 표면 실장 공정에 호환됨
표준 인증 및 준수
전자 부품을 위한 산업 표준 인증을 충족함
수명 및 지속 가능성
다양한 환경 조건에서 장기 신뢰성을 위해 설계됨
실제 적용 분야
전원 공급 장치
모터 제어
컴퓨팅 및 데이터 저장 시스템
에너지 관리 시스템
자동차 응용 분야
이메일 : Info@Ariat-Tech.com 또는 RFQ IRLR2908PBF 온라인.
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| 영상 | 제품 모델 | 기술 | 제조사 | 견적 | |
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