| IRS24531DSTRPBF | |
|---|---|
| 제품 모델 | IRS24531DSTRPBF |
| 제조사 | Infineon Technologies |
| 기술 | IC GATE DRVR FULL-BRIDGE 14SOIC |
| 가능 수량 | 2852 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
| ECAD 모델 | |
| 데이터 시트 | 1.IRS24531DSTRPBF.pdf2.IRS24531DSTRPBF.pdf3.IRS24531DSTRPBF.pdf4.IRS24531DSTRPBF.pdf |
| IRS24531DSTRPBF Price |
온라인으로 가격 및 리드 타임 요청 or Email us: Info@ariat-tech.com |
| IRS24531DSTRPBF의 기술 정보 | |||
|---|---|---|---|
| 제조업체 부품 번호 | IRS24531DSTRPBF | 범주 | 집적회로 (ic) |
| 제조사 | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | 기술 | IC GATE DRVR FULL-BRIDGE 14SOIC |
| 패키지 / 케이스 | 14-SOIC | 가능 수량 | 2852 pcs |
| 전압 - 공급 | 10V ~ 15.6V | 제조업체 장치 패키지 | 14-SOIC |
| 연속 | - | 상승 / 하강 시간 (일반) | 120ns, 50ns |
| 패키지 / 케이스 | 14-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 작동 온도 | -25°C ~ 125°C (TJ) | 입력 주파수 | 1 |
| 실장 형 | Surface Mount | 논리 전압 - VIL, VIH | 4.7V, 9.3V |
| 입력 유형 | RC Input Circuit | 하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) | 600 V |
| 게이트 유형 | N-Channel MOSFET | 구동 구성 | Full-Bridge |
| 전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) | 180mA, 260mA | 베이스 - 이미 터 포화 전압 (최대) | Synchronous |
| 기본 제품 번호 | IRS24531 | ||
| 다운로드 | IRS24531DSTRPBF PDF - EN.pdf | ||
제품 모델
IRS24531DSTRPBF
소개
전체 다리 전력 관리 응용을 위한 게이트 드라이버
브랜드 및 제조사
Infineon Technologies
특징 및 기능
전체 다리 구성에 설계된 동기 채널 유형의 단일 드라이버, N-채널 MOSFET용
제품 성능
크기 최대 출력 전류: 180mA 소스, 260mA 싱크; 빠른 상승 및 하락 시간: 120ns 상승, 50ns 하락
기술 사양
공급 전압 범위: 10V에서 15.6V; 논리 전압 임계값: VIL 4.7V, VIH 9.3V; 고 측면 전압 최대 부스트: 600V
크기, 형태 및 포장
표면 장착 14-SOIC 팩; 너비: 3.90mm
품질 및 신뢰성
운영 온도 범위: -25°C에서 125°C
제품 장점
고전압 운영을 위해 최적화된, 전력 변환 응용에 효율적
제품 경쟁력
종료되었지만, 전력 관리 솔루션 분야에서 경쟁력이 있었습니다
호환성
N-채널 MOSFET 파워 스테이지와 호환성
표준 인증 및 준수
파워 ICs에 대한 표준 산업 명세에 준수
수명 및 지속 가능성
지정된 운영 조건 내에서 지속 가능
실제 적용 분야
전력 변환, 모터 드라이브, 전원 공급 장치에 사용됨
이메일 : Info@Ariat-Tech.com 또는 RFQ IRS24531DSTRPBF 온라인.
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| IRS24531DSTRPBF 이미지 | IRS24531DSTRPBF 그림 | IRS24531DSTRPBF PDF | |||
| IRS24531DSTRPBF 데이터 시트 | IRS24531DSTRPBF 데이터 시트 다운로드 | 제조업체 Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | |||
| IRS24531DSTRPBF 관련 부품 | |||||
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