SPN03N60C3 | |
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제품 모델 | SPN03N60C3 |
제조사 | Infineon Technologies |
기술 | MOSFET N-CH 650V 700MA SOT223-4 |
가능 수량 | 12620 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
ECAD 모델 | |
데이터 시트 | 1.SPN03N60C3.pdf2.SPN03N60C3.pdf |
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SPN03N60C3 Price |
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SPN03N60C3의 기술 정보 | |||
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제조업체 부품 번호 | SPN03N60C3 | 범주 | |
제조사 | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | 기술 | MOSFET N-CH 650V 700MA SOT223-4 |
패키지 / 케이스 | PG-SOT223-4 | 가능 수량 | 12620 pcs |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 3.9V @ 135µA | Vgs (최대) | ±20V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | PG-SOT223-4 |
연속 | CoolMOS™ | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 1.4Ohm @ 2A, 10V |
전력 소비 (최대) | 1.8W (Ta) | 패키지 / 케이스 | TO-261-4, TO-261AA |
패키지 | Tape & Reel (TR) | 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 400 pF @ 25 V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 17 nC @ 10 V | FET 유형 | N-Channel |
FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 650 V | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 700mA (Ta) |
기본 제품 번호 | SPN03N | SPN03N60C3 세부 정보 PDF [English] | SPN03N60C3 PDF - EN.pdf |
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SPN03N60C3
전자 스위칭을 위한 고전압 전원 MOSFET
인터내셔널 레크티파이어 (인피니언 테크놀로지스)
N-채널 쿨MOS 기술, 높은 차단 전압 용량, 낮은 온 저항, 빠른 스위칭 성능
주변 온도에서 최대 전력 소산 1.8W, 작동 온도 범위 -55°C에서 150°C
표면 실장 기술 MOSFET, 금속 산화물 반도체, 드레인-소스 전압(Vdss) 650V, 25°C에서 지속 드레인 전류(Id) 700mA, 2A, 10V에서 1.4 옴의 Rds On, 최대 게이트 스레시홀드 전압(Vgs(th)) 3.9V (135A에서), 10V에서 최대 게이트 전하(Qg) 17nC, 25V에서 입력 정전 용량(Ciss) 400pF
TO-261-4, TO-261AA 패키지, PG-SOT223-4 장치 패키지, 제조사 포장용 테이프 및 릴(TR)
장기 성능을 위한 견고한 구조, 산업용 응용 분야에 적합
손실이 적어 높은 효율성, 기존의 표면 실장 공정과 호환 가능
전력 관리 응용 분야에 대한 경쟁력 있는 가격 책정, 전압 및 전류 등급에서 강력한 성능
다양한 플랫폼에서 고전압 응용 분야에 적합
납 성분으로 인해 RoHS 비준수
가혹한 환경에서도 지속적인 수명을 위한 내구성 있는 구조
전원 공급 장치, 조명 응용 프로그램, 모터 제어 시스템, 인버터 및 컨버터
SPN03N60C3 증권 | SPN03N60C3 가격 | SPN03N60C3 전자 | |||
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공급 업체 SPN03N60C3 | SPN03N60C3 온라인 주문 | 문의 SPN03N60C3 | |||
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SPN03N60C3 데이터 시트 | SPN03N60C3 데이터 시트 다운로드 | 제조업체 Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
SPN03N60C3 관련 부품 | |||||
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영상 | 제품 모델 | 기술 | 제조사 | 견적 | |
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