SPN03N60C3
제품 모델 SPN03N60C3
제조사 Infineon Technologies
기술 MOSFET N-CH 650V 700MA SOT223-4
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SPN03N60C3의 기술 정보
제조업체 부품 번호 SPN03N60C3 범주  
제조사 Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) 기술 MOSFET N-CH 650V 700MA SOT223-4
패키지 / 케이스 PG-SOT223-4 가능 수량 12620 pcs
아이디 @ VGS (일) (최대) 3.9V @ 135µA Vgs (최대) ±20V
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide) 제조업체 장치 패키지 PG-SOT223-4
연속 CoolMOS™ 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 1.4Ohm @ 2A, 10V
전력 소비 (최대) 1.8W (Ta) 패키지 / 케이스 TO-261-4, TO-261AA
패키지 Tape & Reel (TR) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 400 pF @ 25 V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 17 nC @ 10 V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 650 V 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 700mA (Ta)
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제품 모델

SPN03N60C3

소개

전자 스위칭을 위한 고전압 전원 MOSFET

브랜드 및 제조사

인터내셔널 레크티파이어 (인피니언 테크놀로지스)

특징 및 기능

N-채널 쿨MOS 기술, 높은 차단 전압 용량, 낮은 온 저항, 빠른 스위칭 성능

제품 성능

주변 온도에서 최대 전력 소산 1.8W, 작동 온도 범위 -55°C에서 150°C

기술 사양

표면 실장 기술 MOSFET, 금속 산화물 반도체, 드레인-소스 전압(Vdss) 650V, 25°C에서 지속 드레인 전류(Id) 700mA, 2A, 10V에서 1.4 옴의 Rds On, 최대 게이트 스레시홀드 전압(Vgs(th)) 3.9V (135A에서), 10V에서 최대 게이트 전하(Qg) 17nC, 25V에서 입력 정전 용량(Ciss) 400pF

크기, 형태 및 포장

TO-261-4, TO-261AA 패키지, PG-SOT223-4 장치 패키지, 제조사 포장용 테이프 및 릴(TR)

품질 및 신뢰성

장기 성능을 위한 견고한 구조, 산업용 응용 분야에 적합

제품 장점

손실이 적어 높은 효율성, 기존의 표면 실장 공정과 호환 가능

제품 경쟁력

전력 관리 응용 분야에 대한 경쟁력 있는 가격 책정, 전압 및 전류 등급에서 강력한 성능

호환성

다양한 플랫폼에서 고전압 응용 분야에 적합

표준 인증 및 준수

납 성분으로 인해 RoHS 비준수

수명 및 지속 가능성

가혹한 환경에서도 지속적인 수명을 위한 내구성 있는 구조

실제 적용 분야

전원 공급 장치, 조명 응용 프로그램, 모터 제어 시스템, 인버터 및 컨버터

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