HIP6602BCBZ
제품 모델 HIP6602BCBZ
제조사 Intersil
기술 HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
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HIP6602BCBZ의 기술 정보
제조업체 부품 번호 HIP6602BCBZ 범주 집적회로 (ic)
제조사 Intersil (Renesas Electronics Corporation) 기술 HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
패키지 / 케이스 14-SOIC 가능 수량 2692 pcs
전압 - 공급 10.8V ~ 13.2V 제조업체 장치 패키지 14-SOIC
연속 - 상승 / 하강 시간 (일반) 20ns, 20ns
패키지 / 케이스 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 패키지 Tube
작동 온도 0°C ~ 125°C (TJ) 입력 주파수 4
실장 형 Surface Mount 논리 전압 - VIL, VIH -
입력 유형 Non-Inverting 하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) 15 V
게이트 유형 N-Channel MOSFET 구동 구성 Half-Bridge
전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) - 베이스 - 이미 터 포화 전압 (최대) Synchronous
기본 제품 번호 HIP6602  
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제품 모델

HIP6602BCBZ

소개

고속 동기식 N채널 MOSFET 게이트 드라이버 IC

브랜드 및 제조사

인터실

특징 및 기능

동기식 작동, 고주파 구동 능력, 비반전 입력, 4채널 드라이버, 최대 15V 부트스트랩 작동, 표면 장착 14-SOIC 패키지, 무연 및 RoHS 준수

제품 성능

전형적으로 20ns의 빠른 상승 및 하강 시간, 10.8V에서 13.2V까지의 전원 전압 범위 지원, 0°C에서 125°C까지의 동작 온도 범위

기술 사양

채널 유형: 동기식, 구동 구성: 하프 브리지, 드라이버 수: 4, 게이트 유형: N채널 MOSFET

크기, 형태 및 포장

14-SOIC (0.154인치, 3.90mm 너비), 튜브 포장, 공급업체 장치 패키지: 14-SOIC

품질 및 신뢰성

인터실의 IC 성능에 대한 높은 품질 기준에 따라 제작됨

제품 장점

전력 변환 애플리케이션을 위한 효율적인 스위칭 가능, 복잡한 전력 관리에 적합

제품 경쟁력

다채널 MOSFET 구동을 위한 높은 통합성, 동급에서 경쟁력 있는 성능

호환성

표준 N채널 MOSFET과 호환, 표면 장착 기술(SMT) 조립을 위해 설계됨

표준 인증 및 준수

RoHS 준수, 환경 안전을 위한 무연 구조

수명 및 지속 가능성

오랜 작동 수명을 위한 높은 열 성능, 지속적인 사용을 위한 견고한 구조

실제 적용 분야

전원 공급 모듈, DC-DC 변환기, 모터 컨트롤러, 컴퓨팅 및 통신 시스템

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