ISL83202IBZ
제품 모델 ISL83202IBZ
제조사 Renesas Electronics America Inc
기술 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
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ISL83202IBZ의 기술 정보
제조업체 부품 번호 ISL83202IBZ 범주 집적회로 (ic)
제조사 Intersil (Renesas Electronics Corporation) 기술 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
패키지 / 케이스 16-SOIC 가능 수량 5010 pcs
전압 - 공급 8.5V ~ 15V 제조업체 장치 패키지 16-SOIC
연속 - 상승 / 하강 시간 (일반) 9ns, 9ns
패키지 / 케이스 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 패키지 Tube
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 입력 주파수 4
실장 형 Surface Mount 논리 전압 - VIL, VIH 1V, 2.5V
입력 유형 Inverting, Non-Inverting 하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) 70 V
게이트 유형 N-Channel MOSFET 구동 구성 Half-Bridge
전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) 1A, 1A 베이스 - 이미 터 포화 전압 (최대) Independent
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제품 모델

ISL83202IBZ

소개

전력 관리를 위한 게이트 드라이버 IC입니다.

브랜드 및 제조사

Renesas Electronics America

특징 및 기능

풀브릿지 구동 설정, 독립 채널 유형, 4개의 드라이버, N-채널 MOSFET 게이트 유형

제품 성능

피크 출력 전류 1A (공급 및 수확), 고사이드 전압 최대 70V (맥스 부트스트랩), 상승/하강 시간 9ns

기술 사양

전압 공급 범위 8.5V에서 15V, 논리 전압 - VIL 1V, VIH 2.5V

크기, 형태 및 포장

16-SOIC 표면 마운트 패키지, 너비 3.90mm, 튜브에 포장

품질 및 신뢰성

운영 온도 -55°C에서 150°C (TJ)

제품 장점

컴팩트 설계에 최적화된 높은 통합성

제품 경쟁력

고성능 응용 프로그램을 위해 최적화됨

호환성

N-채널 MOSFET 게이트에 적합

표준 인증 및 준수

산업 표준에 준수함

수명 및 지속 가능성

장기 사용을 위한 내구성 있는 구조

실제 적용 분야

전력 관리 솔루션에 적합

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