ISL83202IBZ | |
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제품 모델 | ISL83202IBZ |
제조사 | Renesas Electronics America Inc |
기술 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC |
가능 수량 | 5010 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
ECAD 모델 | |
데이터 시트 | 1.ISL83202IBZ.pdf2.ISL83202IBZ.pdf |
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ISL83202IBZ Price |
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ISL83202IBZ의 기술 정보 | |||
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제조업체 부품 번호 | ISL83202IBZ | 범주 | 집적회로 (ic) |
제조사 | Intersil (Renesas Electronics Corporation) | 기술 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC |
패키지 / 케이스 | 16-SOIC | 가능 수량 | 5010 pcs |
전압 - 공급 | 8.5V ~ 15V | 제조업체 장치 패키지 | 16-SOIC |
연속 | - | 상승 / 하강 시간 (일반) | 9ns, 9ns |
패키지 / 케이스 | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 패키지 | Tube |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 입력 주파수 | 4 |
실장 형 | Surface Mount | 논리 전압 - VIL, VIH | 1V, 2.5V |
입력 유형 | Inverting, Non-Inverting | 하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) | 70 V |
게이트 유형 | N-Channel MOSFET | 구동 구성 | Half-Bridge |
전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) | 1A, 1A | 베이스 - 이미 터 포화 전압 (최대) | Independent |
기본 제품 번호 | ISL83202 | ISL83202IBZ 세부 정보 PDF [English] | ISL83202IBZ PDF - EN.pdf |
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ISL83202IBZ
전력 관리를 위한 게이트 드라이버 IC입니다.
Renesas Electronics America
풀브릿지 구동 설정, 독립 채널 유형, 4개의 드라이버, N-채널 MOSFET 게이트 유형
피크 출력 전류 1A (공급 및 수확), 고사이드 전압 최대 70V (맥스 부트스트랩), 상승/하강 시간 9ns
전압 공급 범위 8.5V에서 15V, 논리 전압 - VIL 1V, VIH 2.5V
16-SOIC 표면 마운트 패키지, 너비 3.90mm, 튜브에 포장
운영 온도 -55°C에서 150°C (TJ)
컴팩트 설계에 최적화된 높은 통합성
고성능 응용 프로그램을 위해 최적화됨
N-채널 MOSFET 게이트에 적합
산업 표준에 준수함
장기 사용을 위한 내구성 있는 구조
전력 관리 솔루션에 적합
ISL83202IBZ 증권 | ISL83202IBZ 가격 | ISL83202IBZ 전자 |
ISL83202IBZ 구성 요소 | 인벤토리 | ISL83202IBZ Digikey |
공급 업체 ISL83202IBZ | ISL83202IBZ 온라인 주문 | 문의 ISL83202IBZ |
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