IXFC12N80P
제품 모델 IXFC12N80P
제조사 IXYS
기술 MOSFET N-CH 800V 7A ISOPLUS220
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IXFC12N80P의 기술 정보
제조업체 부품 번호 IXFC12N80P 범주  
제조사 IXYS / Littelfuse 기술 MOSFET N-CH 800V 7A ISOPLUS220
패키지 / 케이스 ISOPLUS220™ 가능 수량 2612 pcs
아이디 @ VGS (일) (최대) 5.5V @ 2.5mA Vgs (최대) ±30V
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide) 제조업체 장치 패키지 ISOPLUS220™
연속 HiPerFET™, PolarHT™ 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 930mOhm @ 6A, 10V
전력 소비 (최대) 120W (Tc) 패키지 / 케이스 ISOPLUS220™
패키지 Tube 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2800 pF @ 25 V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 51 nC @ 10 V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 800 V 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7A (Tc)
기본 제품 번호 IXFC12N80  
다운로드IXFC12N80P PDF - EN.pdf
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