IXFH12N120P
제품 모델 IXFH12N120P
제조사 IXYS
기술 MOSFET N-CH 1200V 12A TO247AD
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IXFH12N120P의 기술 정보
제조업체 부품 번호 IXFH12N120P 범주  
제조사 IXYS / Littelfuse 기술 MOSFET N-CH 1200V 12A TO247AD
패키지 / 케이스 TO-247AD (IXFH) 가능 수량 3080 pcs
아이디 @ VGS (일) (최대) 6.5V @ 1mA Vgs (최대) ±30V
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide) 제조업체 장치 패키지 TO-247AD (IXFH)
연속 HiPerFET™, Polar 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 1.35Ohm @ 500mA, 10V
전력 소비 (최대) 543W (Tc) 패키지 / 케이스 TO-247-3
패키지 Tube 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5400 pF @ 25 V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 103 nC @ 10 V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 1200 V 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 12A (Tc)
기본 제품 번호 IXFH12  
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제품 모델

IXFH12N120P

소개

고전압 파워 MOSFET

브랜드 및 제조사

IXYS Corporation

특징 및 기능

N-채널 MOSFET, 높은 전력 소산, 높은 전압 등급, 낮은 온 저항

제품 성능

효율적인 에너지 처리, 견고한 열 관리, 고속 스위칭 능력, 넓은 작동 온도 범위

기술 사양

금속 산화물 반도체 기술, 1200V의 드레인-소스 전압(Vdss), 25°C에서 12A의 연속 드레인 전류(Id), 500mA, 10V에서 1.35옴의 온 저항(Rds), 1mA에서 6.5V의 게이트 임계 전압(Vgs(th)), 10V에서 103nC의 게이트 전하(Qg), 25V에서 5400pF의 입력 캐패시턴스(Ciss)

크기, 형태 및 포장

관통 홀 장착 타입, TO-247-3 패키지/케이스, TO-247AD 공급 장치 패키지, 튜브 포장

품질 및 신뢰성

극한 조건에서의 높은 신뢰성

제품 장점

낮은 전도 손실, 높은 파괴 전압

제품 경쟁력

경쟁력 있는 고전압 전력 솔루션

호환성

다양한 고전압 응용 분야와 호환

표준 인증 및 준수

무연 / RoHS 준수

수명 및 지속 가능성

높은 스트레스 및 다양한 온도에서 내구성

실제 적용 분야

전원 공급 시스템, 모터 컨트롤러, 인버터, 스위치 모드 전원 공급 장치

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