IXFH12N120P | |
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제품 모델 | IXFH12N120P |
제조사 | IXYS |
기술 | MOSFET N-CH 1200V 12A TO247AD |
가능 수량 | 3080 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
ECAD 모델 | |
데이터 시트 | IXFH12N120P.pdf |
IXFH12N120P Price |
온라인으로 가격 및 리드 타임 요청 or Email us: Info@ariat-tech.com |
IXFH12N120P의 기술 정보 | |||
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제조업체 부품 번호 | IXFH12N120P | 범주 | |
제조사 | IXYS / Littelfuse | 기술 | MOSFET N-CH 1200V 12A TO247AD |
패키지 / 케이스 | TO-247AD (IXFH) | 가능 수량 | 3080 pcs |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 6.5V @ 1mA | Vgs (최대) | ±30V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | TO-247AD (IXFH) |
연속 | HiPerFET™, Polar | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 1.35Ohm @ 500mA, 10V |
전력 소비 (최대) | 543W (Tc) | 패키지 / 케이스 | TO-247-3 |
패키지 | Tube | 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Through Hole | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 5400 pF @ 25 V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 103 nC @ 10 V | FET 유형 | N-Channel |
FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 1200 V | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 12A (Tc) |
기본 제품 번호 | IXFH12 | ||
다운로드 | IXFH12N120P PDF - EN.pdf |
IXFH12N120P
고전압 파워 MOSFET
IXYS Corporation
N-채널 MOSFET, 높은 전력 소산, 높은 전압 등급, 낮은 온 저항
효율적인 에너지 처리, 견고한 열 관리, 고속 스위칭 능력, 넓은 작동 온도 범위
금속 산화물 반도체 기술, 1200V의 드레인-소스 전압(Vdss), 25°C에서 12A의 연속 드레인 전류(Id), 500mA, 10V에서 1.35옴의 온 저항(Rds), 1mA에서 6.5V의 게이트 임계 전압(Vgs(th)), 10V에서 103nC의 게이트 전하(Qg), 25V에서 5400pF의 입력 캐패시턴스(Ciss)
관통 홀 장착 타입, TO-247-3 패키지/케이스, TO-247AD 공급 장치 패키지, 튜브 포장
극한 조건에서의 높은 신뢰성
낮은 전도 손실, 높은 파괴 전압
경쟁력 있는 고전압 전력 솔루션
다양한 고전압 응용 분야와 호환
무연 / RoHS 준수
높은 스트레스 및 다양한 온도에서 내구성
전원 공급 시스템, 모터 컨트롤러, 인버터, 스위치 모드 전원 공급 장치
IXFH12N120P 증권 | IXFH12N120P 가격 | IXFH12N120P 전자 | |||
IXFH12N120P 구성 요소 | 인벤토리 | IXFH12N120P Digikey | |||
공급 업체 IXFH12N120P | IXFH12N120P 온라인 주문 | 문의 IXFH12N120P | |||
IXFH12N120P 이미지 | IXFH12N120P 그림 | IXFH12N120P PDF | |||
IXFH12N120P 데이터 시트 | IXFH12N120P 데이터 시트 다운로드 | 제조업체 IXYS / Littelfuse |
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