IXTH16N20D2 | |
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제품 모델 | IXTH16N20D2 |
제조사 | IXYS |
기술 | MOSFET N-CH 200V 16A TO247 |
가능 수량 | 6861 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
ECAD 모델 | |
데이터 시트 | IXTH16N20D2.pdf |
다운로드 | IXTH16N20D2 세부 정보 PDF |
IXTH16N20D2 Price |
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IXTH16N20D2의 기술 정보 | |||
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제조업체 부품 번호 | IXTH16N20D2 | 범주 | |
제조사 | IXYS / Littelfuse | 기술 | MOSFET N-CH 200V 16A TO247 |
패키지 / 케이스 | TO-247 (IXTH) | 가능 수량 | 6861 pcs |
아이디 @ VGS (일) (최대) | - | Vgs (최대) | ±20V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | TO-247 (IXTH) |
연속 | Depletion | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 73mOhm @ 8A, 0V |
전력 소비 (최대) | 695W (Tc) | 패키지 / 케이스 | TO-247-3 |
패키지 | Tube | 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Through Hole | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 5500 pF @ 25 V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 208 nC @ 5 V | FET 유형 | N-Channel |
FET 특징 | Depletion Mode | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | - |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 200 V | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 16A (Tc) |
기본 제품 번호 | IXTH16 | IXTH16N20D2 세부 정보 PDF [English] | IXTH16N20D2 PDF - EN.pdf |
다운로드 | IXTH16N20D2 세부 정보 PDF |
IXTH16N20D2
이 제품은 FET(장치 전압 트랜지스터)의 한 종류로, MOSFET(금속 산화물 반도체 트랜지스터)에 속합니다. 특히, N-채널 드리프트 모드 MOSFET입니다.
IXYS Corporation
제조업체 부품 번호는 IXTH16N20D2입니다. RoHS 규격 준수 및 납을 포함하지 않습니다. 튜브 포장으로 제공됩니다. MOSFET(금속 산화물) 기술을 사용합니다.
작동 온도 범위는 -55°C에서 150°C(TJ)입니다. 접합 기판 타입입니다. 드레인에서 소스 전압(Vdss)은 최대 200V입니다. 25°C에서 연속 드레인 전류(Id)는 최대 16A(Tc)입니다. Id, Vgs에서 최대 Rds On은 8A, 0V에서 73 mOhm입니다. Vgs에서 최대 게이트 충전량(Qg)은 5V에서 208nC입니다. Vds에서 최대 입력 커패시턴스(Ciss)는 25V에서 5500pF입니다.
TO-247-3 패키지 또는 케이스입니다. 공급업체 장치 패키지: TO-247(IXTH). 최대 전력 소산량(Max)은 695W(Tc)입니다. 최대 Vgs는 ±20V입니다.
TO-247-3 패키지 또는 케이스를 특징으로 합니다. 튜브 포장으로 판매됩니다.
제품은 RoHS 규격을 준수하여 납을 포함하지 않고 안전하게 사용할 수 있습니다. 제조업체는 파워 반도체의 신뢰할 수 있는 공급업체인 IXYS Corporation입니다.
높은 전압과 전류로 작동합니다. 넓은 온도 조건에 적합합니다.
높은 전력 소산 능력을 갖추고 있습니다. 신뢰할 수 있는 제조업체에서 제공됩니다.
접합 기판 타입으로 인해 다양한 장치와 호환됩니다.
납을 포함하지 않고 RoHS 규격에 준수합니다.
높은 온도와 전압을 견딜 수 있는 내구성 있는 재료로 제작되었습니다.
높은 전압과 전류를 요구하는 기술 용도에 적합합니다.
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