BSM400D12P2G003
제품 모델 BSM400D12P2G003
제조사 Rohm Semiconductor
기술 SILICON CARBIDE POWER MODULE. B
가능 수량 4 pcs in stock
ECAD 모델
데이터 시트
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BSM400D12P2G003의 기술 정보
제조업체 부품 번호 BSM400D12P2G003 범주 이산 반도체 제품
제조사 LAPIS Technology 기술 SILICON CARBIDE POWER MODULE. B
패키지 / 케이스 module 가능 수량 4 pcs
아이디 @ VGS (일) (최대) 4V @ 85mA 과학 기술 Silicon Carbide (SiC)
제조업체 장치 패키지 Module 연속 -
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) - 전력 - 최대 2450W (Tc)
패키지 / 케이스 Module 패키지 Bulk
작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 38000pF @ 10V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs - FET 특징 -
소스 전압에 드레인 (Vdss) 1200V (1.2kV) 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 400A (Tc)
구성 2 N-Channel (Half Bridge) 기본 제품 번호 BSM400
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