BSM400D12P2G003 | |
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제품 모델 | BSM400D12P2G003 |
제조사 | Rohm Semiconductor |
기술 | SILICON CARBIDE POWER MODULE. B |
가능 수량 | 4 pcs in stock |
ECAD 모델 | |
데이터 시트 | |
BSM400D12P2G003 Price |
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BSM400D12P2G003의 기술 정보 | |||
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제조업체 부품 번호 | BSM400D12P2G003 | 범주 | 이산 반도체 제품 |
제조사 | LAPIS Technology | 기술 | SILICON CARBIDE POWER MODULE. B |
패키지 / 케이스 | module | 가능 수량 | 4 pcs |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 85mA | 과학 기술 | Silicon Carbide (SiC) |
제조업체 장치 패키지 | Module | 연속 | - |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | - | 전력 - 최대 | 2450W (Tc) |
패키지 / 케이스 | Module | 패키지 | Bulk |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 38000pF @ 10V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | - | FET 특징 | - |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 1200V (1.2kV) | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 400A (Tc) |
구성 | 2 N-Channel (Half Bridge) | 기본 제품 번호 | BSM400 |
BSM400D12P2G003 증권 | BSM400D12P2G003 가격 | BSM400D12P2G003 전자 | |||
BSM400D12P2G003 구성 요소 | 인벤토리 | BSM400D12P2G003 Digikey | |||
공급 업체 BSM400D12P2G003 | BSM400D12P2G003 온라인 주문 | 문의 BSM400D12P2G003 | |||
BSM400D12P2G003 이미지 | BSM400D12P2G003 그림 | BSM400D12P2G003 PDF | |||
BSM400D12P2G003 데이터 시트 | BSM400D12P2G003 데이터 시트 다운로드 | 제조업체 LAPIS Technology |
BSM400D12P2G003 관련 부품 | |||||
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영상 | 제품 모델 | 기술 | 제조사 | 견적 | |
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BSM400D12P3G002 | 1200V, 358A, HALF BRIDGE, FULL S | Rohm Semiconductor | ||
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