| APT30F50B | |
|---|---|
| 제품 모델 | APT30F50B |
| 제조사 | Microchip Technology |
| 기술 | MOSFET N-CH 500V 30A TO247 |
| 가능 수량 | 3037 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
| ECAD 모델 | |
| 데이터 시트 | 1.APT30F50B.pdf2.APT30F50B.pdf3.APT30F50B.pdf4.APT30F50B.pdf5.APT30F50B.pdf6.APT30F50B.pdf |
| APT30F50B Price |
온라인으로 가격 및 리드 타임 요청 or Email us: Info@ariat-tech.com |
| APT30F50B의 기술 정보 | |||
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| 제조업체 부품 번호 | APT30F50B | 범주 | |
| 제조사 | Microsemi | 기술 | MOSFET N-CH 500V 30A TO247 |
| 패키지 / 케이스 | TO-247 [B] | 가능 수량 | 3037 pcs |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 1mA | Vgs (최대) | ±30V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | TO-247 [B] |
| 연속 | POWER MOS 8™ | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 190mOhm @ 14A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 415W (Tc) | 패키지 / 케이스 | TO-247-3 |
| 패키지 | Tube | 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4525 pF @ 25 V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 115 nC @ 10 V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 500 V | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 30A (Tc) |
| 기본 제품 번호 | APT30F50 | ||
| 다운로드 | APT30F50B PDF - EN.pdf | ||
제품 모델
APT30F50B
소개
고출력 N-채널 MOSFET
브랜드 및 제조사
마이크로세미
특징 및 기능
금속 산화물 반도체 기술, N-채널 구성, 고출력 소산 능력
제품 성능
최대 500V까지의 고전압 허용, 25°C에서 30A의 지속적인 배수 전류, 효율적인 전도성을 위한 낮은 Rds On, 강력한 열 성능
기술 사양
FET 유형: N-채널 MOSFET, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, Rds On (최대): 190 mOhm, 게이트 전하 (Qg): 115nC, 입력 커패시턴스 (Ciss): 4525pF
크기, 형태 및 포장
TO-247-3 패키지, 스루홀 장착, 튜브 포장으로 배송
품질 및 신뢰성
무연 및 RoHS 준수, 고 온도 작동 범위 -55°C에서 150°C
제품 장점
고전압 애플리케이션에 적합, 효율적인 전력 관리
제품 경쟁력
우수한 전기 성능, 가혹한 환경에서도 신뢰성
호환성
드라이빙 회로와의 광범위한 호환성, 표준 드라이브 전압
표준 인증 및 준수
RoHS 준수
수명 및 지속 가능성
내구성 있는 구조로 긴 운영 수명 보장
실제 적용 분야
전원 공급 장치, 모터 제어, 고출력 전자 회로
이메일 : Info@Ariat-Tech.com 또는 RFQ APT30F50B 온라인.
| APT30F50B 증권 | APT30F50B 가격 | APT30F50B 전자 | |||
| APT30F50B 구성 요소 | 인벤토리 | APT30F50B Digikey | |||
| 공급 업체 APT30F50B | APT30F50B 온라인 주문 | 문의 APT30F50B | |||
| APT30F50B 이미지 | APT30F50B 그림 | APT30F50B PDF | |||
| APT30F50B 데이터 시트 | APT30F50B 데이터 시트 다운로드 | 제조업체 Microsemi | |||
| APT30F50B 관련 부품 | |||||
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