2SJ058200L의 기술 정보
제조업체 부품 번호
2SJ058200L
범주
제조사
Panasonic
기술
MOSFET P-CH 200V 2A U-G2
패키지 / 케이스
U-G2
가능 수량
2542 pcs
아이디 @ VGS (일) (최대)
4V @ 1mA
Vgs (최대)
±20V
과학 기술
MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지
U-G2
연속
-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
2Ohm @ 1A, 10V
전력 소비 (최대)
1W (Ta), 10W (Tc)
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
패키지
Tape & Reel (TR)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
400 pF @ 20 V
FET 유형
P-Channel
FET 특징
-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)
200 V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
2A (Tc)
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