2SK2225-E
제품 모델 2SK2225-E
제조사 Renesas Electronics America Inc
기술 MOSFET N-CH 1500V 2A TO3PFM
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2SK2225-E의 기술 정보
제조업체 부품 번호 2SK2225-E 범주  
제조사 Renesas Electronics Corporation 기술 MOSFET N-CH 1500V 2A TO3PFM
패키지 / 케이스 TO-3PFM 가능 수량 13000 pcs
아이디 @ VGS (일) (최대) - Vgs (최대) ±20V
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide) 제조업체 장치 패키지 TO-3PFM
연속 - 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 12Ohm @ 1A, 15V
전력 소비 (최대) 50W (Tc) 패키지 / 케이스 TO-3PFM, SC-93-3
패키지 Tube 작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 984.7 pF @ 30 V
FET 유형 N-Channel FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 15V 소스 전압에 드레인 (Vdss) 1500 V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2A (Ta) 기본 제품 번호 2SK2225
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제품 모델

2SK2225-E

소개

N-채널 MOSFET

브랜드 및 제조사

레네사스 일렉트로닉스 아메리카

특징 및 기능

N-채널 MOSFET으로, 1500V의 높은 드레인-소스 전압(Vdss), 낮은 온 저항, 고속 스위칭 기능을 제공합니다. 홀 마운팅 타입입니다.

제품 성능

25°C에서 2A의 연속 드레인 전류, 50W의 전력 소산(Tc), 150°C(TJ)까지의 작동 온도를 지원합니다.

기술 사양

MOSFET(금속 산화물) 기술을 기반으로 하며, 1A, 15V에서 최대 Rds On이 12옴입니다. Vds 30V에서 입력 용량(Ciss)은 984.7pF입니다.

크기, 형태 및 포장

TO-3PFM 패키지/케이스; 공급업체 장치 패키지 TO-3PFM; 제조업체 포장 TO-3PFM; 포장 튜브.

품질 및 신뢰성

납이 없으며 RoHS 규정 준수; 고품질 소재 및 제조 공정.

제품 장점

향상된 전력 처리능력; 고전압 응용에 신뢰성이 높습니다.

제품 경쟁력

고전압 커패시터 응용에서 경쟁력이 있습니다.

호환성

다양한 고전압 회로와 호환됩니다.

표준 인증 및 준수

RoHS 규정 준수.

수명 및 지속 가능성

적절한 사용으로 긴 수명을 보장합니다.

실제 적용 분야

전력 관리 응용, 고전압 스위칭, 전원 공급 장치, 산업 자동화.

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