K4W1G1646E-HC15 | |
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제품 모델 | K4W1G1646E-HC15 |
제조사 | SAMSUNG |
기술 | SAMSUNG BGA |
가능 수량 | 1569 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
ECAD 모델 | |
데이터 시트 | |
K4W1G1646E-HC15 Price |
온라인으로 가격 및 리드 타임 요청 or Email us: Info@ariat-tech.com |
K4W1G1646E-HC15의 기술 정보 | |||
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제조업체 부품 번호 | K4W1G1646E-HC15 | 범주 | 집적회로 (ic) |
제조사 | Samsung Semiconductor | 기술 | SAMSUNG BGA |
패키지 / 케이스 | BGA | 가능 수량 | 1569 pcs |
조건 | New Original Stock | 보증 | 100% Perfect Functions |
리드 타임 | 2-3days after payment. | 지불 | PayPal / Telegraphic Transfer / Western Union |
출하 기준 | DHL / Fedex / UPS | 포트 | HongKong |
RFQ 이메일 |
K4W1G1646E-HC15
DDR3 SDRAM 메모리 IC
삼성 반도체
고속 데이터 전송, 저전압 작동, 고속 동기식 DRAM, 동시 작동을 위한 8개의 내부 뱅크
최대 1866 Mt/s의 데이터 전송 속도, CAS 지연(CL) 15, 듀얼 차별 데이터 스트로브
메모리 용량: 1Gb, 메모리 유형: DDR3 SDRAM, 클럭 주파수: 최대 933 MHz, I/O 전압: 1.5V
파인 볼 그리드 어레이(FBGA) 패키징
확장된 온도 범위, JEDEC 표준 준수
에너지 효율적, 높은 데이터 대역폭, 안정적이고 검증된 기술
신뢰할 수 있는 브랜드, 산업 전반에서 널리 사용, 좋은 가격 대비 성능 비율
표준 DDR3 SDRAM 슬롯과 호환, PC 및 서버 응용 프로그램에 이상적
JEDEC 준수, RoHS 준수
연장된 작동 수명, 내구성 있는 소재 사용
개인용 컴퓨팅, 서버, 고성능 컴퓨팅 시스템, 네트워킹 장비
K4W1G1646E-HC15 증권 | K4W1G1646E-HC15 가격 | K4W1G1646E-HC15 전자 | |||
K4W1G1646E-HC15 구성 요소 | 인벤토리 | K4W1G1646E-HC15 Digikey | |||
공급 업체 K4W1G1646E-HC15 | K4W1G1646E-HC15 온라인 주문 | 문의 K4W1G1646E-HC15 | |||
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영상 | 제품 모델 | 기술 | 제조사 | 견적 | |
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