K4W1G1646E-HC15
제품 모델 K4W1G1646E-HC15
제조사 SAMSUNG
기술 SAMSUNG BGA
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데이터 시트
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K4W1G1646E-HC15의 기술 정보
제조업체 부품 번호 K4W1G1646E-HC15 범주 집적회로 (ic)
제조사 Samsung Semiconductor 기술 SAMSUNG BGA
패키지 / 케이스 BGA 가능 수량 1569 pcs
조건 New Original Stock 보증 100% Perfect Functions
리드 타임 2-3days after payment. 지불 PayPal / Telegraphic Transfer / Western Union
출하 기준 DHL / Fedex / UPS 포트 HongKong
RFQ 이메일   

제품 모델

K4W1G1646E-HC15

소개

DDR3 SDRAM 메모리 IC

브랜드 및 제조사

삼성 반도체

특징 및 기능

고속 데이터 전송, 저전압 작동, 고속 동기식 DRAM, 동시 작동을 위한 8개의 내부 뱅크

제품 성능

최대 1866 Mt/s의 데이터 전송 속도, CAS 지연(CL) 15, 듀얼 차별 데이터 스트로브

기술 사양

메모리 용량: 1Gb, 메모리 유형: DDR3 SDRAM, 클럭 주파수: 최대 933 MHz, I/O 전압: 1.5V

크기, 형태 및 포장

파인 볼 그리드 어레이(FBGA) 패키징

품질 및 신뢰성

확장된 온도 범위, JEDEC 표준 준수

제품 장점

에너지 효율적, 높은 데이터 대역폭, 안정적이고 검증된 기술

제품 경쟁력

신뢰할 수 있는 브랜드, 산업 전반에서 널리 사용, 좋은 가격 대비 성능 비율

호환성

표준 DDR3 SDRAM 슬롯과 호환, PC 및 서버 응용 프로그램에 이상적

표준 인증 및 준수

JEDEC 준수, RoHS 준수

수명 및 지속 가능성

연장된 작동 수명, 내구성 있는 소재 사용

실제 적용 분야

개인용 컴퓨팅, 서버, 고성능 컴퓨팅 시스템, 네트워킹 장비

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